[實用新型]一種背接觸異質結N型單晶硅太陽電池

有效

• 申請號: 201821040332.2
• 申請日: 2018-07-03
• 公開（公告）號: CN208521952U
• 公開（公告）日: 2019-02-19
• 發明（設計）人: 盧剛;王海;何鳳琴;鄭璐;錢俊;楊振英;王旭輝
• 申請（專利權）人: 黃河水電光伏產業技術有限公司;青海黃河上游水電開發有限責任公司光伏產業技術分公司;國家電投集團黃河上游水電開發有限責任公司;青海黃河上游水電開發有限責任公司
• 主分類號: H01L31/0747
• 分類號: H01L31/0747;H01L31/0216
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰

本實用新型公開了一種背接觸異質結N型單晶硅太陽電池，包括一N型單晶硅基體，N型單晶硅基體具有相對的一正面和一背面；依次設于N型單晶硅基體正面的本征非晶硅前鈍化層、正面N型非晶硅層和減反層；依次沉積于N型單晶硅基體背面的摻雜N⁺層和本征非晶硅背鈍化層；間隔設于本征非晶硅背鈍化層上的背面N型非晶硅層和P型非晶硅層；設于背面N型非晶硅層和P型非晶硅層上的接觸層；設于背面N型非晶硅層和P型非晶硅層之間的絕緣隔離層。本實用新型的背接觸異質結N型單晶硅太陽電池，以提高N型單晶硅太陽電池的綜合光電轉換效率。

技術領域

本實用新型涉及太陽能電池技術領域，具體地，涉及一種背接觸異質結N型單晶硅太陽電池。

背景技術

晶體硅太陽電池具有轉換效率高、工作穩定性好、工作壽命長和制造技術成熟等特點，是目前太陽能光伏市場的主力軍。相對摻硼的P型單晶硅材料，摻磷的N型單晶硅材料中硼含量極低，由硼氧對導致的光致衰減可以忽略，N型硅材料中的一些金屬雜質對少子空穴的捕獲能力低于P型材料中的雜質對少子電子的捕獲能力，在相同摻雜濃度下N型硅比P型硅具有更高的少數載流子壽命。這些特性使得N型硅電池具有潛在的長壽命和高效率的優勢，N型硅電池太陽電池已成為未來高效率晶體硅太陽電池的發展方向，而如何提高N型硅電池太陽電池的光電轉換效率，一直是研究N型硅電池太陽電池的重點，影響N型硅電池太陽電池光電轉換效率的因素有很多，且很多因素之間相互制約，因此如何綜合衡量各個因素，以提高N型硅電池太陽電池的綜合光電轉換效率是我們當下需解決的。

實用新型內容

為解決上述現有技術存在的問題，本實用新型提供了一種背接觸異質結N型單晶硅太陽電池，以提高N型單晶硅太陽電池的綜合光電轉換效率。

為了達到上述實用新型目的，本實用新型采用了如下的技術方案：

本實用新型提供了一種背接觸異質結N型單晶硅太陽電池，包括：

一N型單晶硅基體，所述N型單晶硅基體具有相對的一正面和一背面；

依次設于所述N型單晶硅基體正面的本征非晶硅前鈍化層、正面N型非晶硅層和減反層；

依次沉積于所述N型單晶硅基體背面的摻雜N⁺層和本征非晶硅背鈍化層；

間隔設于所述本征非晶硅背鈍化層上的背面N型非晶硅層和P型非晶硅層；

設于所述背面N型非晶硅層和所述P型非晶硅層上的接觸層；

設于所述背面N型非晶硅層和所述P型非晶硅層之間的絕緣隔離層。

優選地，所述摻雜N⁺層設有多個，多個所述摻雜N⁺層依次間隔排布。

優選地，每一所述摻雜N⁺層與一所述背面N型非晶硅層相對。

優選地，所述摻雜N⁺層為輕摻雜N⁺層，所述摻雜N⁺層的表面摻雜濃度小于1×10¹⁸cm^-3，擴散深度為0.2～1μm。

優選地，所述N型單晶硅基體電阻率為0.5～10Ω·cm，厚度為100～300μm。

優選地，所述本征非晶硅前鈍化層，和/或本征非晶硅背鈍化層，和/或所述正面N型非晶硅層的厚度為1～15nm。

優選地，所述減反層為氧化物、氮化物的一種或兩種的組合，所述減反層厚度為50～200nm。

優選地，所述P型非晶硅層的厚度為10～100nm，寬度為100～1000μm。

優選地，所述接觸層由透明導電薄膜與金屬電極疊層組成。