[實(shí)用新型]一種背接觸異質(zhì)結(jié)N型單晶硅太陽(yáng)電池

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821040332.2
• 申請(qǐng)日: 2018-07-03
• 公開（公告）號(hào): CN208521952U
• 公開（公告）日: 2019-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 盧剛;王海;何鳳琴;鄭璐;錢俊;楊振英;王旭輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 黃河水電光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)有限公司;青海黃河上游水電開發(fā)有限責(zé)任公司光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)分公司;國(guó)家電投集團(tuán)黃河上游水電開發(fā)有限責(zé)任公司;青海黃河上游水電開發(fā)有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L31/0747
• 分類號(hào): H01L31/0747;H01L31/0216
• 代理公司: 深圳市銘粵知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰

1.一種背接觸異質(zhì)結(jié)N型單晶硅太陽(yáng)電池，其特征在于，包括：

一N型單晶硅基體(1)，所述N型單晶硅基體(1)具有相對(duì)的一正面和一背面；

依次設(shè)于所述N型單晶硅基體(1)正面的本征非晶硅前鈍化層(2)、正面N型非晶硅層(3)和減反層(4)；

依次沉積于所述N型單晶硅基體(1)背面的摻雜N⁺層(5)和本征非晶硅背鈍化層(6)；

間隔設(shè)于所述本征非晶硅背鈍化層(6)上的背面N型非晶硅層(7)和P型非晶硅層(8)；

設(shè)于所述背面N型非晶硅層(7)和所述P型非晶硅層(8)上的接觸層(9)；

設(shè)于所述背面N型非晶硅層(7)和所述P型非晶硅層(8)之間的絕緣隔離層(10)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N型單晶硅太陽(yáng)電池，其特征在于，所述摻雜N⁺層(5)設(shè)有多個(gè)，多個(gè)所述摻雜N⁺層(5)依次間隔排布。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的N型單晶硅太陽(yáng)電池，其特征在于，每一所述摻雜N⁺層(5)與一所述背面N型非晶硅層(7)相對(duì)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3任意一項(xiàng)所述的N型單晶硅太陽(yáng)電池，其特征在于，所述摻雜N⁺層(5)為輕摻雜N⁺層，所述摻雜N⁺層(5)的表面摻雜濃度小于1×10¹⁸cm^-3，擴(kuò)散深度為0.2～1μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的N型單晶硅太陽(yáng)電池，其特征在于，所述N型單晶硅基體(1)電阻率為0.5～10Ω·cm，厚度為100～300μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的N型單晶硅太陽(yáng)電池，其特征在于，所述本征非晶硅前鈍化層(2)，和/或本征非晶硅背鈍化層(6)，和/或所述正面N型非晶硅層(3)的厚度為1～15nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的N型單晶硅太陽(yáng)電池，其特征在于，所述減反層(4)為氧化物、氮化物的一種或兩種的組合，所述減反層(4)厚度為50～200nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的N型單晶硅太陽(yáng)電池，其特征在于，所述P型非晶硅層(8)的厚度為10～100nm，寬度為100～1000μm。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的N型單晶硅太陽(yáng)電池，其特征在于，所述接觸層(9)由透明導(dǎo)電薄膜與金屬電極疊層組成。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的N型單晶硅太陽(yáng)電池，其特征在于，所述透明導(dǎo)電薄膜包括錫摻雜的In₂O₃和鋁摻雜的ZnO，所述金屬電極為銀、銅或鋁。