[實用新型]一種刻蝕設備

有效

• 申請號: 201821035223.1
• 申請日: 2018-07-02
• 公開（公告）號: CN208284451U
• 公開（公告）日: 2018-12-25
• 發明（設計）人: 梁倪萍;陳伏宏;劉家樺;葉日銓
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

本實用新型提供了一種刻蝕設備，所述刻蝕設備包括主腔室，用于提供刻蝕工藝環境；等離子體輸出端，用于向所述主腔室輸出等離子體，所述等離子體包括帶電離子和自由基；工作臺，用于承載基底，所述工作臺位于所述主腔室內；副腔室，所述副腔室位于所述主腔室的一側，且所述副腔室與所述主腔室之間具有連通口；以及擋板結構，所述擋板結構上設置有多個通孔，所述擋板結構位于所述副腔室中且可自所述連通口進入到所述主腔室中，并位于所述等離子體輸出端與所述工作臺之間，以實現在進行帶電離子的物理轟擊和自由基的化學腐蝕工藝的設備中，還可以單獨進行自由基的化學腐蝕工藝，從而減少了刻蝕工藝所使用的機臺數量，降低了成本。

技術領域

本實用新型涉及集成電路制造領域，特別是涉及一種刻蝕設備。

背景技術

基底的刻蝕工藝是一個繁瑣、復雜的過程，一般來說，干法刻蝕例如是等離子體刻蝕的工藝需要在多個設備中完成，例如在ICP(Inductively coupled plasma，電感耦合等離子體)機臺中進行的STI/Gate(淺溝槽隔離/柵極)刻蝕工藝，在去膠機臺中進行干法去膠的工藝等。

發明人研究發現，基底在干法刻蝕例如是等離子體刻蝕工藝中，ICP機臺中的刻蝕工藝是在帶電離子的物理轟擊和自由基的化學腐蝕的共同作用下進行的，去膠機臺中的工藝則只需在自由基的化學腐蝕的作用下進行。如果在需要帶電離子的物理轟擊和自由基的化學腐蝕的設備例如ICP刻蝕機臺中只希望進行自由基的化學腐蝕工藝，ICP刻蝕機臺中的帶電離子的物理轟擊同樣會起到作用，其會對基底表面造成等離子體損傷。

因此，如何在同一個機臺上既可以在進行帶電離子的物理轟擊和自由基的化學腐蝕，又可以單獨進行自由基的化學腐蝕，這是本領域技術人員亟待解決的技術問題。

實用新型內容

本實施例的目的在于提供一種刻蝕設備，以實現機臺的多功能性，從而減少刻蝕過程中使用機臺的數量，降低成本。

為了解決上述技術問題，本實用新型提供了一種刻蝕設備，包括：

主腔室，用于提供刻蝕工藝環境；等離子體輸出端，用于向所述主腔室輸出等離子體，所述等離子體包括帶電離子和自由基；工作臺，用于承載基底，所述工作臺位于所述主腔室內；副腔室，所述副腔室位于所述主腔室的一側，且所述副腔室與所述主腔室之間具有連通口；以及擋板結構，所述擋板結構上設置有多個通孔，所述擋板結構位于所述副腔室中且可自所述連通口進入到所述主腔室中，并位于所述等離子體輸出端與所述工作臺之間。

可選的，所述擋板結構包括沿所述主腔室的高度方向堆疊布置的兩個擋片以及設置于所述兩個擋片之間的間隔部件，所述兩個擋片與所述間隔部件連接。

可選的，所述通孔是垂直于所述擋板的直孔，所述兩個擋片的通孔在所述兩個擋片的厚度方向上互不重疊。

可選的，所述通孔是彎孔或斜孔。

可選的，所述擋片是由防腐蝕材料制成。

可選的，所述擋片表面設置有由防腐蝕材料制成的鍍層。

可選的，所述擋片的橫截面的形狀與所述主腔室的橫截面的形狀相同。

可選的，還包括：

門結構，設置于所述主腔室與副腔室之間，用于打開或者封閉所述連通口。

可選的，還包括：

支撐結構，位于所述副腔室中，用于承載及移動所述擋板結構。

可選的，所述支撐結構包括可旋轉的支撐柱和支撐架，所述支撐架可旋轉的連接在所述支撐柱上，用于承載及移動所述擋板結構。