[實用新型]一種刻蝕設備有效
| 申請號： | 201821035223.1 | 申請日： | 2018-07-02 |
| 公開（公告）號： | CN208284451U | 公開（公告）日： | 2018-12-25 |
| 發明（設計）人： | 梁倪萍;陳伏宏;劉家樺;葉日銓 | 申請（專利權）人： | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思捷知識產權代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 223300 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 主腔室 副腔室 擋板結構 刻蝕設備 自由基 工作臺 等離子體 等離子體輸出端 化學腐蝕工藝 帶電離子 刻蝕工藝 連通口 機臺 本實用新型 物理轟擊 基底 通孔 主腔 承載 室內 輸出 | ||
1.一種刻蝕設備，其特征在于，包括：
主腔室，用于提供刻蝕工藝環境；
等離子體輸出端，用于向所述主腔室輸出等離子體，所述等離子體包括帶電離子和自由基；
工作臺，用于承載基底，所述工作臺位于所述主腔室內；
副腔室，所述副腔室位于所述主腔室的一側，且所述副腔室與所述主腔室之間具有連通口；以及
擋板結構，所述擋板結構上設置有多個通孔，所述擋板結構位于所述副腔室中且可自所述連通口進入到所述主腔室中，并位于所述等離子體輸出端與所述工作臺之間。
2.如權利要求1所述的刻蝕設備，其特征在于，所述擋板結構包括沿所述主腔室的高度方向堆疊布置的兩個擋片以及設置于所述兩個擋片之間的間隔部件，所述兩個擋片與所述間隔部件連接。
3.如權利要求2所述的刻蝕設備，其特征在于，所述通孔是垂直于所述擋板的直孔，所述兩個擋片的通孔在所述兩個擋片的厚度方向上互不重疊。
4.如權利要求2所述的刻蝕設備，其特征在于，所述通孔是彎孔或斜孔。
5.如權利要求2所述的刻蝕設備，其特征在于，所述擋片是由防腐蝕材料制成。
6.如權利要求2所述的刻蝕設備，其特征在于，所述擋片表面設置有由防腐蝕材料制成的鍍層。
7.如權利要求2所述的刻蝕設備，其特征在于，所述擋片的橫截面的形狀與所述主腔室的橫截面的形狀相同。
8.如權利要求1所述的刻蝕設備，其特征在于，還包括：
門結構，設置于所述主腔室與副腔室之間，用于打開或者封閉所述連通口。
9.如權利要求1所述的刻蝕設備，其特征在于，還包括：
支撐結構，位于所述副腔室中，用于承載及移動所述擋板結構。
10.如權利要求9所述的刻蝕設備，其特征在于，所述支撐結構包括可旋轉的支撐柱和支撐架，所述支撐架可旋轉的連接在所述支撐柱上，用于承載及移動所述擋板結構。
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