[實用新型]一種MPCVD設備基板臺冷卻結構有效
| 申請號： | 201821029075.2 | 申請日： | 2018-07-01 |
| 公開（公告）號： | CN208949403U | 公開（公告）日： | 2019-06-07 |
| 發明（設計）人： | 黃翀;范杰 | 申請（專利權）人： | 長沙新材料產業研究院有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/511 | 分類號： | C23C16/511 |
| 代理公司： | 武漢智匯為專利代理事務所(普通合伙) 42235 | 代理人： | 李恭渝 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基板臺 噴頭 冷卻管 冷卻液 支撐臺 冷卻 本實用新型 冷卻結構 連接螺紋 設備基板 噴口 冷卻液出口 均勻冷卻 冷卻效果 面積覆蓋 需求調節 一端連接 一端設置 可調節 全覆蓋 儲存 | ||
【權利要求書】：
1.一種MPCVD設備基板臺冷卻結構，包括基板臺支撐臺、設置有冷卻液出口的冷卻管，還包括設置于冷卻液出口處的噴頭，其特征在于所述噴頭的一端連接冷卻管，另一端設置有截面面積基本覆蓋基板臺支撐臺底面面積的噴口，所述噴頭與基板臺支撐臺之間還有縫隙，供冷卻液流出。
2.根據權利要求1所述的MPCVD設備基板臺冷卻結構，其特征在于還包括支撐臺連接件、密封件、冷卻液排出管接頭，所述密封件用于基板臺支撐臺和支撐臺連接件的密封，所述冷卻液排出管接頭設置于支撐臺連接件的底部。
3.根據權利要求1所述的MPCVD設備基板臺冷卻結構，其特征在于所述噴頭為漏斗型，所述噴口為漏斗的大端通口。
4.根據權利要求1所述的MPCVD設備基板臺冷卻結構，其特征在于所述噴頭為漏斗型，在漏斗的大端口設置有噴口蓋，所述噴口蓋上設置有均勻分布的小通孔。
5.根據權利要求1所述的MPCVD設備基板臺冷卻結構，其特征在于所述噴頭與基板臺支撐臺之間的縫隙寬度為2～15mm。
6.根據權利要求2所述的MPCVD設備基板臺冷卻結構，其特征在于所述噴頭與冷卻管之間活動連接，以便于調整噴口與基板臺支撐臺底面的距離。
7.根據權利要求6所述的MPCVD設備基板臺冷卻結構，其特征在于所述噴頭與冷卻管之間活動連接為螺紋連接，噴口與基板臺支撐臺底面的距離通過連接螺紋進行調節。
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C23 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
