[實用新型]一種半導體制備裝置以及砷化鎵半導體制備裝置

有效

• 申請號: 201821021064.X
• 申請日: 2018-06-29
• 公開（公告）號: CN209243237U
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發明（設計）人: 雷仁貴;肖亞東;談笑天
• 申請（專利權）人: 漢能新材料科技有限公司
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 宋丹氫;張天舒

本實用新型公開了一種半導體制備裝置以及砷化鎵半導體制備裝置，應用于水平布里奇曼法半導體制備，其中該半導體制備裝置包括第一爐體和第二爐體，所述第一爐體和第二爐體分別單獨設置溫度控制裝置，所述第一爐體和所述第二爐體由中間管道連接，其中，在所述中間管道的外周包覆有保溫材料。本實用新型的裝置實現了有效地獨立控制高溫區與低溫區的溫度，避免了由于出現石英管變形和開裂等導致的多晶料氧化或砷泄露，以及多晶料尾部合成不完全等問題；此外，由于高溫區與中溫區之間設置適當的保溫措施，使得蒸發的組分得以完全與其他組分反應，得到配比均勻的半導體化合物。

技術領域

本實用新型屬于半導體制備技術領域，具體涉及一種半導體制備裝置，尤其涉及一種用于水平布里奇曼法半導體制備裝置的爐體的改進。

背景技術

半導體材料的導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在 1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內，是一類具有半導體性能、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。

例如，砷化鎵(GaAs)憑借著高頻率、高電子遷移率、低噪音、輸出功率高、耗電量小、效益高以及線性度良好、不易失真等優越的特性，開發前景令人鼓舞。而要獲得砷化鎵材料的前提是生長砷化鎵單晶，砷化鎵單晶的獲得又依賴于砷化鎵多晶的合成。砷化鎵多晶合成通常有水平布里奇曼法，低壓氧化硼液封砷注入合成法、高壓氧化硼液封原位合成法等方法。

采用水平布里奇曼法合成砷化鎵多晶時，通常情況下，由于熱輻射等原因，高溫區與低溫區的溫度不易控制，經常出現石英管變形和開裂等導致的多晶料氧化或砷泄露，以及多晶料尾部合成不完全等問題；此外，高溫區與中溫區之間沒有適當的保溫措施，導致蒸發后的砷部分冷凝，從而難以得到配比均勻的砷化鎵晶體。

實用新型內容

[要解決的技術問題]

本實用新型的目的在改善現有技術的上述狀況。本實用新型公開了調整爐體高溫區與低溫區的布置方式，更獨立地控制高溫區與低溫區的溫度，同時，保證高溫區與低溫區之間的連接處能夠具備適當的溫度，從而改善半導體產物的品質和產率。

[技術方案]

本實用新型的第一方面提供了一種半導體制備裝置，應用于水平布里奇曼法半導體制備，包括第一爐體和第二爐體，所述第一爐體和第二爐體分別單獨設置溫度控制裝置，所述第一爐體和所述第二爐體由中間管道連接，其中，在所述中間管道的外周包覆有保溫材料。

本實用新型的第二方面提供了一種砷化鎵半導體制備裝置，包括本實用新型第一方面所述的裝置，所述第一爐體為低溫區爐體，以及所述第二爐體為高溫區爐體。

[有益效果]

本實用新型提供的半導體制備裝置通過第一爐體和第二爐體分別單獨設置溫度控制裝置，且第一爐體和所述第二爐體由外周包覆有保溫材料的中間管道連接，實現了有效地獨立控制高溫區與低溫區的溫度，減少不期望的熱輻射影響，以及，防止因石英管變形和開裂等導致的多晶料氧化或砷泄露。由于高溫區與低溫區之間設置適當的保溫措施，使得蒸發的組分得以完全與其他組分反應，得到配比均勻、性能良好的半導體化合物。

附圖說明

圖1為根據本實用新型一實施例的制備裝置示意圖；以及

圖2為根據本實用新型另一實施例的制備裝置示意圖。

具體實施方式

下文結合附圖描述本實用新型的實施方式。通篇附圖中采用相似的附圖標記描述相似或相同的部件。這里披露的不同特征可以單獨使用，或者彼此改變組合，沒有規定將本實用新型限定于文中描述的特定組合。由此，所描述的實施方式不用于限定權利要求的范圍。

說明中可能采用短語“在一實施方式中”、“在實施方式中”、“在一些實施方式中”，或者“在其他實施方式中”，分別可以各指根據本文披露的一個或多個相同或者不同的實施方式。