[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體制備裝置以及砷化鎵半導(dǎo)體制備裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821021064.X
• 申請(qǐng)日: 2018-06-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN209243237U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-08-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 雷仁貴;肖亞?wèn)|;談笑天
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 漢能新材料科技有限公司
• 主分類號(hào): C30B11/00
• 分類號(hào): C30B11/00
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 宋丹氫;張?zhí)焓?/td>

1.一種半導(dǎo)體制備裝置，應(yīng)用于水平布里奇曼法半導(dǎo)體制備，其特征在于，包括第一爐體和第二爐體，所述第一爐體和第二爐體分別單獨(dú)設(shè)置溫度控制裝置，所述第一爐體和所述第二爐體由中間管道連接，其中，在所述中間管道的外周包覆有保溫材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制備裝置，其特征在于，所述第一爐體、所述中間管道、所述第二爐體共同限定內(nèi)部腔體，承載反應(yīng)舟和反應(yīng)物的石英安瓿瓶放置在內(nèi)部腔體中。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體制備裝置，其特征在于，第一爐體和所述第二爐體至少之一的內(nèi)側(cè)壁進(jìn)一步設(shè)置間隔層，以在間隔層包圍空間內(nèi)限定均勻加熱的爐腔。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體制備裝置，其特征在于，所述間隔層構(gòu)造為石英管、碳化硅管、莫來(lái)石管或其組合套管。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體制備裝置，其特征在于，所述石英安瓿瓶在第一爐體和所述第二爐體中放置時(shí)，與所述內(nèi)側(cè)壁之間由所述間隔層隔開(kāi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體制備裝置，其特征在于，提供1000℃以下加熱的溫度控制裝置包括2-4段控溫單元，提供高于1000℃加熱的溫度控制裝置包括5-7段控溫單元。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體制備裝置，其特征在于，所述第一爐體和所述第二爐體之間的間距為15-20cm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體制備裝置，其特征在于，在所述中間管道的外周包覆的保溫材料為低密度保溫材料，其包覆厚度為3cm-5cm。

9.一種砷化鎵半導(dǎo)體制備裝置，其特征在于，包括根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的裝置，所述第一爐體為低溫區(qū)爐體，以及，所述第二爐體為高溫區(qū)爐體。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的砷化鎵半導(dǎo)體制備裝置，其特征在于，用石英安瓿瓶密封的砷舟和鎵舟分別放置在所述低溫區(qū)爐體內(nèi)和所述高溫區(qū)爐體內(nèi)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的砷化鎵半導(dǎo)體制備裝置，其特征在于，所述高溫區(qū)爐體由6段控溫組成，所述低溫區(qū)爐體由3段控溫組成。