[實用新型]鍍膜系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821007371.2 | 申請日: | 2018-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN208617974U | 公開(公告)日: | 2019-03-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 姚立柱;張津巖;楊曦曦;袁世成;張文 | 申請(專利權(quán))人: | 君泰創(chuàng)新(北京)科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/54 | 分類號: | C23C14/54;C23C16/52;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人: | 邢惠童 |
| 地址: | 100176 北京市大興區(qū)亦*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 檢測設(shè)備 第二基板 第一基板 鍍膜腔室 傳輸設(shè)備 鍍膜系統(tǒng) 控制設(shè)備 本實用新型 出口閥門 入口閥門 準(zhǔn)確控制 載板 信號傳輸線路 承載基板 出口位置 電性連接 鍍膜技術(shù) 入口位置 預(yù)設(shè)位置 基板 壓碎 垂直 | ||
本實用新型提供了一種鍍膜系統(tǒng),屬于鍍膜技術(shù)領(lǐng)域。所述鍍膜系統(tǒng)包括鍍膜腔室、控制設(shè)備、傳輸設(shè)備、第一基板檢測設(shè)備和第二基板檢測設(shè)備,其中:所述控制設(shè)備分別與所述傳輸設(shè)備、所述第一基板檢測設(shè)備和所述第二基板檢測設(shè)備電性連接;所述第一基板檢測設(shè)備安裝在所述鍍膜腔室的入口位置,所述第二基板檢測設(shè)備安裝在所述鍍膜腔室的出口位置;所述第一基板檢測設(shè)備和所述第二基板檢測設(shè)備的信號傳輸線路均垂直于所述傳輸設(shè)備的載板所在的平面。采用本實用新型,控制設(shè)備可以準(zhǔn)確控制承載基板的載板停止在預(yù)設(shè)位置處,從而,可以準(zhǔn)確控制鍍膜腔室的入口閥門和出口閥門的關(guān)閉與開啟,進(jìn)而有效避免了入口閥門或者出口閥門壓碎基板的情況。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及鍍膜技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種鍍膜系統(tǒng)。
背景技術(shù)
太陽能電池制備中,需要使用鍍膜系統(tǒng)在太陽能基板(以下統(tǒng)稱為基板)上鍍一層用于發(fā)電的膜。
如圖1所示,鍍膜系統(tǒng)通常包括鍍膜腔室01、控制設(shè)備(圖1中未示出)、傳輸設(shè)備(圖1中未示出)、第一基板檢測設(shè)備02和第二基板檢測設(shè)備03,其中,鍍膜腔室01的一側(cè)壁上設(shè)置有入口和入口閥門,與其相對的另一側(cè)壁上設(shè)置有出口和出口閥門,在入口與出口之間形成供傳輸設(shè)備的載板傳輸?shù)膫鬏斖罚?4放置在載板上,如圖1所示,第一基板檢測設(shè)備02和第二基板檢測設(shè)備03的信號傳輸線路(如檢測設(shè)備發(fā)射的激光形成的光傳輸線路,圖1中的虛線即為信號傳輸線路)平行于載板所在的平面且垂直于載板的傳輸方向(圖1中箭頭所指的方向)。
這樣,當(dāng)基板04通過入口進(jìn)入鍍膜腔室01時,由于基板04具有一定的厚度,會遮擋第一基板檢測設(shè)備02的一部分甚至全部的檢測信號,此時控制設(shè)備會檢測到第一基板檢測設(shè)備02的檢測信號小于預(yù)設(shè)強度閾值。隨后基板04繼續(xù)沿著傳輸通路向鍍膜腔室的內(nèi)部傳輸,當(dāng)基板04剛開始遮擋第二基板檢測設(shè)備03的一部分甚至全部的檢測信號,控制設(shè)備剛開始檢測到第一基板檢測設(shè)備02和第二基板檢測設(shè)備03的檢測信號均小于預(yù)設(shè)強度閾值時,控制傳輸設(shè)備停止傳輸,使承載基板04的載板停在預(yù)設(shè)位置處,控制設(shè)備再控制鍍膜腔室01的入口閥門關(guān)閉,然后對鍍膜腔室01內(nèi)的基板04進(jìn)行鍍膜處理。
在實現(xiàn)本實用新型的過程中,發(fā)明人發(fā)現(xiàn)相關(guān)技術(shù)至少存在以下問題:
鍍膜系統(tǒng)中的各種設(shè)備在運行的過程中會不可避免的發(fā)生振動的情況,長時間使用之后會引起第一基板檢測設(shè)備或者第二基板檢測設(shè)備的位置發(fā)生偏移,例如,檢測通路位于傳輸通路的上方或者下方,這樣也會使控制設(shè)備檢測到的檢測信號小于預(yù)設(shè)強度閾值,導(dǎo)致控制設(shè)備不能準(zhǔn)確控制鍍膜腔室的入口閥門或者出口閥門的關(guān)閉與開啟,甚至還會出現(xiàn)入口閥門或者出口閥門壓碎基板的情況。
實用新型內(nèi)容
本實用新型實施例提供了一種鍍膜系統(tǒng),以解決相關(guān)技術(shù)的問題。所述技術(shù)方案如下:
根據(jù)本實用新型實施例提供了一種鍍膜系統(tǒng),所述鍍膜系統(tǒng)包括鍍膜腔室、控制設(shè)備、傳輸設(shè)備、第一基板檢測設(shè)備和第二基板檢測設(shè)備,其中:
所述控制設(shè)備分別與所述傳輸設(shè)備、所述第一基板檢測設(shè)備、所述第二基板檢測設(shè)備電性連接;
所述第一基板檢測設(shè)備安裝在所述鍍膜腔室的入口位置,所述第二基板檢測設(shè)備安裝在所述鍍膜腔室的出口位置;
所述第一基板檢測設(shè)備和所述第二基板檢測設(shè)備的信號傳輸線路均垂直于所述傳輸設(shè)備的載板所在的平面。
可選的,所述第一基板檢測設(shè)備包括第一信號收發(fā)器和第一信號反射板,所述第二基板檢測設(shè)備包括第二信號收發(fā)器和第二信號反射板;
所述第一信號收發(fā)器、所述第二信號收發(fā)器均與所述控制設(shè)備電性連接;
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- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





