[實用新型]一種表面覆膜的雙面單晶硅片有效
| 申請號: | 201820990414.7 | 申請日: | 2018-06-26 |
| 公開(公告)號: | CN208422938U | 公開(公告)日: | 2019-01-22 |
| 發明(設計)人: | 陳春成;戚建靜 | 申請(專利權)人: | 江蘇晶品新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/054 | 分類號: | H01L31/054;H01L31/048;H01L31/041 |
| 代理公司: | 北京科家知識產權代理事務所(普通合伙) 11427 | 代理人: | 陳娟 |
| 地址: | 225600 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅片基體 鋼化玻璃 單晶硅片 兩組 反射 表面覆膜 彈性層 光學膠 連接板 相鄰面 橡膠環 高折射率介質膜 減震 低折射率介質 光電轉換效率 紫外線保護膜 本實用新型 氮化硅膜 外力作用 壓花玻璃 半球形 反射層 反射光 光折射 深藍色 紫外線 緩沖 凸塊 光照 施加 受損 阻擋 | ||
1.一種表面覆膜的雙面單晶硅片,包括連接板(1),其特征在于:所述連接板(1)的內腔壁上開設有放置槽(2),所述放置槽(2)的內腔均勻設置有三組橡膠環(3),且三組橡膠環(3)從上到下依次呈線性排列,相鄰兩組所述橡膠環(3)之間設置有鋼化玻璃(4),兩組所述鋼化玻璃(4)的相鄰面均設置有光學膠彈性層(5),兩組所述光學膠彈性層(5)的相鄰面設置有硅片基體(6),所述鋼化玻璃(4)遠離硅片基體(6)的一側設置有反射層(7),所述反射層(7)遠離硅片基體(6)的一側設置有增透層(8)。
2.根據權利要求1所述的一種表面覆膜的雙面單晶硅片,其特征在于:所述連接板(1)的頂部和底部均設置有防護罩(9),且防護罩(9)的豎截面呈圓弧形。
3.根據權利要求1所述的一種表面覆膜的雙面單晶硅片,其特征在于:增透層(8)遠離硅片基體(6)的一側均勻設置有凸塊(10),且凸塊(10)矩形陣列排列,所述凸塊(10)為半球形凸塊。
4.根據權利要求3所述的一種表面覆膜的雙面單晶硅片,其特征在于:所述凸塊(10)遠離硅片基體(6)的一側設置有氮化硅膜,且氮化硅膜的厚度為七十五納米。
5.根據權利要求1所述的一種表面覆膜的雙面單晶硅片,其特征在于:所述反射層(7)包括壓花玻璃,且壓花玻璃靠近硅片基體(6)的一側設置有低折射率介質膜,且低折射率介質膜靠近硅片基體(6)的一側設置有高折射率介質膜。
6.根據權利要求2所述的一種表面覆膜的雙面單晶硅片,其特征在于:所述防護罩(9)遠離硅片基體(6)的一側設置有紫外線保護膜(11)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





