[實用新型]一種表面覆膜的雙面單晶硅片有效
| 申請號: | 201820990414.7 | 申請日: | 2018-06-26 |
| 公開(公告)號: | CN208422938U | 公開(公告)日: | 2019-01-22 |
| 發明(設計)人: | 陳春成;戚建靜 | 申請(專利權)人: | 江蘇晶品新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/054 | 分類號: | H01L31/054;H01L31/048;H01L31/041 |
| 代理公司: | 北京科家知識產權代理事務所(普通合伙) 11427 | 代理人: | 陳娟 |
| 地址: | 225600 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅片基體 鋼化玻璃 單晶硅片 兩組 反射 表面覆膜 彈性層 光學膠 連接板 相鄰面 橡膠環 高折射率介質膜 減震 低折射率介質 光電轉換效率 紫外線保護膜 本實用新型 氮化硅膜 外力作用 壓花玻璃 半球形 反射層 反射光 光折射 深藍色 紫外線 緩沖 凸塊 光照 施加 受損 阻擋 | ||
本實用新型公開了單晶硅片領域的一種表面覆膜的雙面單晶硅片,包括連接板,相鄰兩組所述橡膠環之間設置有鋼化玻璃,兩組所述鋼化玻璃的相鄰面均設置有光學膠彈性層,兩組所述光學膠彈性層的相鄰面設置有硅片基體,所述鋼化玻璃遠離硅片基體的一側設置有反射層,該裝置通過半球形的凸塊可以將光折射向硅片基體,增強光照強度,厚度為七十五納米的氮化硅膜呈深藍色,減少對光的反射,壓花玻璃、低折射率介質膜和高折射率介質膜,將硅片基體反射的反射光再次反射向硅片基體上,提高了光電轉換效率,橡膠環起到減震緩沖的作用,避免施加在連接板上的外力作用在鋼化玻璃上,導致硅片基體受損,紫外線保護膜起到阻擋紫外線的作用。
技術領域
本實用新型涉及單晶硅片領域,具體為一種表面覆膜的雙面單晶硅片。
背景技術
隨著經濟的不斷發展,環境的污染日漸嚴重,加之石油和煤炭等不可再生資源的逐漸耗盡,人們對可再生能源的利用與開發顯得越來越重視,其中太陽能光伏發電已經成為可再生能源中最安全、最環保和最具潛力的競爭者,現今所有商業規模生產的太陽能電池,都是以硅作為制作材料。硅太陽能電池中單晶硅太陽能電池具有最高的轉換效率,在大規模應用和工業生產中仍占據主導地位,但是現有的太陽能電池上的單晶硅片往往設計成單面接受光照的結構,極大的制約了單晶硅片作為太陽能組件時的光電轉換效率,因此,需要一種表面覆膜的雙面單晶硅片。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種表面覆膜的雙面單晶硅片,以解決上述背景技術中提出的問題。
為實現上述目的,本實用新型提供如下技術方案:一種表面覆膜的雙面單晶硅片,包括連接板,所述連接板的內腔壁上開設有放置槽,所述放置槽的內腔均勻設置有三組橡膠環,且三組橡膠環從上到下依次呈線性排列,相鄰兩組所述橡膠環之間設置有鋼化玻璃,兩組所述鋼化玻璃的相鄰面均設置有光學膠彈性層,兩組所述光學膠彈性層的相鄰面設置有硅片基體,所述鋼化玻璃遠離硅片基體的一側設置有反射層,所述反射層遠離硅片基體的一側設置有增透層。
優選的,所述連接板的頂部和底部均設置有防護罩,且防護罩的豎截面呈圓弧形。
優選的,增透層遠離硅片基體的一側均勻設置有凸塊,且凸塊矩形陣列排列,所述凸塊為半球形凸塊。
優選的,所述凸塊遠離硅片基體的一側設置有氮化硅膜,且氮化硅膜的厚度為七十五納米。
優選的,所述反射層包括壓花玻璃,且壓花玻璃靠近硅片基體的一側設置有低折射率介質膜,且低折射率介質膜靠近硅片基體的一側設置有高折射率介質膜。
優選的,所述防護罩遠離硅片基體的一側設置有紫外線保護膜。
與現有技術相比,本實用新型的有益效果是:該裝置結構簡單,使用方便,半球形的凸塊可以將光折射向硅片基體,增強光照強度,厚度為七十五納米的氮化硅膜呈深藍色,減少對光的反射,壓花玻璃、低折射率介質膜和高折射率介質膜,將硅片基體反射的反射光再次反射向硅片基體上,提高了光電轉換效率,橡膠環起到減震緩沖的作用,避免施加在連接板上的外力作用在鋼化玻璃上,光學膠彈性層起到避免鋼化玻璃上的力傳遞到硅片基體上,導致硅片基體受損,紫外線保護膜起到阻擋紫外線的作用。
附圖說明
圖1為本實用新型結構示意圖。
圖中:1連接板、2放置槽、3橡膠環、4鋼化玻璃、5光學膠彈性層、6硅片基體、7反射層、8增透層、9防護罩、10凸塊、11紫外線保護膜。
具體實施方式
下面將結合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





