[實用新型]電容器及半導體存儲器

有效

• 申請號: 201820984291.6
• 申請日: 2018-06-26
• 公開（公告）號: CN208240669U
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務所 11313
• 代理人: 張臻賢;李夠生

1.一種電容器，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底上設置絕緣層，所述絕緣層中間隔設置若干存儲節點接觸塞；

下電極，經由電容支撐結構間隔設置在所述存儲節點接觸塞上；所述電容支撐結構設置在所述絕緣層上，所述電容支撐結構中形成有若干電容成型孔，以配置所述下電極；所述電容支撐結構中形成有顯露多個鄰近的所述電容成型孔的電容開孔；所述下電極的端口顯露于所述電容開孔中；以及

上電極，包括上電極填充物，所述上電極填充物填充在所述電容成型孔中，且經由所述電容開孔填充在所述電容支撐結構的內部和外部；

其中，所述下電極顯露于所述電容開孔內的端口高度平齊于所述電容支撐結構的頂部支撐層的上表面。

2.如權利要求1所述的電容器，其特征在于，還包括電容介質層，形成在所述下電極的表面以及所述電容支撐結構的各支撐層表面；

所述上電極還包括上電極層，所述上電極層覆蓋在所述電容介質層的表面，所述上電極填充物與在所述上電極層表面接合。

3.如權利要求2所述的電容器，其特征在于，所述電容介質層具有三層電介質結構，第一層電介質結構與所述下電極的表面及所述支撐層表面接合，所述第一層電介質結構的材料包含鈦氧化物；第二層電介質結構設置于所述第一層電介質結構上，所述第二層電介質結構的材料包含氧化鋁；第三層電介質結構設置于所述第二層電介質結構上，所述第三層電介質結構的材料包含鋯氧化物。

4.如權利要求3所述的電容器，其特征在于，所述電容介質層的厚度不大于10nm，且所述第二層電介質結構的厚度介于1-2nm。

5.如權利要求3所述的電容器，其特征在于，所述支撐層包括底部支撐層，中部支撐層和頂部支撐層，所述底部支撐層與所述絕緣層接合。

6.如權利要求1所述的電容器，其特征在于，所述下電極在所述電容開孔內和在所述電容開孔外的孔壁高度相等，并且所述下電極的其余頂部端口連接于所述電極支撐結構的所述頂部支撐層的上表面。

7.如權利要求1所述的電容器，其特征在于，所述上電極填充物的材料包含硅鍺。

8.如權利要求1所述的電容器，其特征在于，所述電容開孔開設在由至少五個所述電容成型孔所圍成的所述電容支撐結構區域中。

9.如權利要求1所述的電容器，其特征在于，所述電容成型孔的位置與所述存儲節點接觸塞的位置相對應，并且所述電容成型孔的底部開口尺寸不小于所述存儲節點接觸塞的表面尺寸。

10.一種半導體存儲器，其特征在于，包括如權利要求1-9任一項所述的電容器。