[實用新型]一種低噪聲且抗高地彈噪聲的輸出驅動電路

有效

• 申請號: 201820979598.7
• 申請日: 2018-06-25
• 公開（公告）號: CN208424337U
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發明（設計）人: 楊秋平
• 申請（專利權）人: 珠海市一微半導體有限公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185;H03K19/003
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種低噪聲且抗高地彈噪聲的輸出驅動電路，包括以數據輸出端和使能輸出端為輸入的預驅動模塊、PMOS輸入節點、與PMOS輸入節點相連的PMOS公共節點、NMOS輸入節點、與NMOS輸入節點相連的NMOS公共節點、輸出節點、接地端和供電電壓端；其中，所述預驅動模塊包括第一反相器和第二反相器；其特征在于，所述輸出驅動電路還包括PMOS驅動模塊和NMOS驅動模塊；

所述PMOS驅動模塊與所述預驅動模塊連接于所述PMOS輸入節點，使得所述PMOS輸入節點輸入動態信號時通過動態調節PMOS驅動模塊的輸出驅動電阻來降低地彈噪聲，所述PMOS輸入節點輸入靜態信號時通過提高輸出驅動電阻增強抗高地彈噪聲效應；

所述NMOS驅動模塊與所述預驅動模塊連接于所述NMOS輸入節點，使得所述NMOS輸入節點輸入動態信號時通過動態調節NMOS驅動模塊的輸出驅動電阻來降低地彈噪聲，所述NMOS輸入節點輸入靜態信號時通過提高輸出驅動電阻增強抗高地彈噪聲效應；

其中，所述PMOS驅動模塊和所述NMOS驅動模塊連接于所述輸出節點；所述動態信號為存在電平翻轉的信號，所述靜態信號為不出現電平翻轉的信號。

2.根據權利要求1所述輸出驅動電路，其特征在于，所述PMOS驅動模塊中包括預設數量的下降沿延時控制子模塊和分為預設組數的PMOS管；第一組PMOS管的柵極都與所述第一反相器的輸出端連接于所述PMOS輸入節點，而其余各組PMOS管都通過其柵極對應連接一個下降沿延時控制子模塊的輸出端，預設數量的下降沿延時控制子模塊的輸入端都連接到所述PMOS公共節點，使得在所述PMOS公共節點輸入動態信號時，所述下降沿延時控制子模塊通過控制各組PMOS管的導通時間來調節PMOS驅動模塊的輸出驅動電阻來減小電流的變化率，從而降低地彈噪聲；在所述PMOS公共節點輸入靜態信號時，所述下降沿延時控制子模塊通過關斷各組PMOS管來增大PMOS驅動模塊的輸出驅動電阻以增強抗高地彈噪聲的效應；

所述NMOS驅動模塊中包括預設數量的上升沿延時控制子模塊和分為預設組數的NMOS管；第一組NMOS管的柵極都與所述第二反相器的輸出端連接于所述NMOS輸入節點，而其余各組NMOS管都通過其柵極對應連接一個上升沿延時控制子模塊的輸出端，預設數量的上升沿延時控制子模塊的輸入端都連接到所述NMOS公共節點，使得在所述NMOS公共節點輸入動態信號時，所述下降沿延時控制子模塊通過控制各組NMOS管的導通時間來調節NMOS驅動模塊的輸出驅動電阻來來減小電流的變化率，從而降低地彈噪聲；在所述NMOS公共節點輸入靜態信號時，所述下降沿延時控制子模塊通過關斷各組NMOS管來增大NMOS驅動模塊的輸出驅動電阻以增強抗高地彈噪聲的效應；

其中，所述預設數量等于所述預設組數減去一；所述其余各組PMOS管的每一組PMOS管對應一個所述下降沿延時控制子模塊；所述其余各組NMOS管的每一組NMOS管對應一個所述上升沿延時控制子模塊。

3.根據權利要求2所述輸出驅動電路，其特征在于，所述PMOS驅動模塊中包括分為預設組數的PMOS管，第一組PMOS管的數目比其余組PMOS管的數目小，使得所述數據輸出端為高電平階段的地彈噪聲降低；

所述第一組NMOS管的數目比其余組NMOS管的數目小，使得所述數據輸出端為低電平階段的地彈噪聲降低。

4.根據權利要求3所述輸出驅動電路，其特征在于，所述PMOS驅動模塊中所述分為預設組數的PMOS管的源極都連接到所述供電電壓端，其漏極都連接到所述輸出節點；

所述NMOS驅動模塊中所述分為預設組數的NMOS管的漏極都連接到所述輸出節點，其源極都連接到所述接地端。

5.根據權利要求2至權利要求4任一項所述輸出驅動電路，其特征在于，所述預設組數的數值設置為3或大于3。