[實用新型]一種制備珠寶首飾用人造CVD金剛石的設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820977347.5 | 申請日: | 2018-06-25 |
| 公開(公告)號: | CN208472187U | 公開(公告)日: | 2019-02-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙志巖 | 申請(專利權(quán))人: | 廊坊西波爾鉆石技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/27 | 分類號: | C23C16/27;C23C16/44;C23C16/52 |
| 代理公司: | 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 逯長明;許偉群 |
| 地址: | 065300 *** | 國省代碼: | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 熱絲 基體組件 制備過程 沉積室 制備 申請 豎直設(shè)置 溫度恒定 移動基片 珠寶首飾 基片臺 石墨 密閉 絲網(wǎng) 首飾 垂直 制造 | ||
本申請公開了一種制備首飾用人造CVD金剛石的設(shè)備,所述設(shè)備包括:密閉的沉積室,在所述沉積室中豎直設(shè)置有熱絲組件,在熱絲組件兩側(cè)分別設(shè)置有基體組件,所述基體組件可沿垂直于所述熱絲網(wǎng)面的方向往復(fù)運動。使用本申請?zhí)峁┑脑O(shè)備可以在在制備過程中持續(xù)緩慢地移動基片臺,從而避免在CVD過程中產(chǎn)生的石墨等雜質(zhì)落入人造CVD金剛石內(nèi)部,進而提高人造CVD金剛石的品質(zhì),而且,熱絲組件的兩側(cè)同時設(shè)置基片臺,從而將制造效率提高1倍,此外,使用本申請?zhí)峁┑脑O(shè)備能夠在制備過程中保持人造CVD金剛石前端面的溫度恒定,從而增加人造CVD金剛石的厚度,進而獲得大尺寸的人造CVD金剛石。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請屬于制造設(shè)備領(lǐng)域,特別涉及一種制備珠寶首飾用人造CVD金剛石的設(shè)備。
背景技術(shù)
金剛石由SP3雜化的碳原子組成,具有立方晶體結(jié)構(gòu),是已知材料中最硬的物質(zhì)。在珠寶領(lǐng)域,寶石級大顆粒金剛石經(jīng)過切割加工后稱之為鉆石。鉆石因其堅硬、稀有和璀璨奪目的視覺效果,被譽為“寶石之王”,作為愛情信物,深受消費者喜愛,但是天然鉆石非常稀少,而且價格昂貴,人造鉆石的出現(xiàn)彌補了這一缺點。人造鉆石在價格上較天然金剛石具有明顯的優(yōu)勢。人造鉆石以人造CVD金剛石最為常見。人造CVD金剛石是采用CVD法合成的聚晶金剛石,為純金剛石成分,不含有任何金屬粘結(jié)劑,其硬度較天然鉆石略遜,但作為珠寶首飾用也是足夠的。
在人造CVD金剛石合成方法中以熱絲CVD法使用范圍最為廣泛。傳統(tǒng)的熱絲CVD合成設(shè)備如圖1所示,包括沉積室001,在沉積室001內(nèi)水平設(shè)置的熱絲002和設(shè)置于熱絲下方的生長基體003,在沉積室頂壁上開設(shè)的進氣管004和在沉積室底壁上開設(shè)的出氣管005,所述進氣管004的進氣口與出氣管005的出氣口均與熱絲002垂直。向熱絲CVD合成設(shè)備中通入反應(yīng)氣體后,反應(yīng)氣體在熱絲附近受熱分解后在所述生長基體上沉積金剛石材料。使用傳統(tǒng)的熱絲CVD合成設(shè)備制造的人造CVD金剛石的厚度通常小于1.5mm,很難獲得厚度大于3mm的人造CVD金剛石,由于其厚度小常用作低價值的小尺寸飾鉆。而且,由于人造CVD金剛石以柱狀生長模式生長,因此,使用傳統(tǒng)CVD設(shè)備制造人造CVD金剛石的過程中,從形核面到生長面,隨著人造CVD金剛石晶粒的逐漸增大,人造CVD金剛石晶粒間孔隙逐漸增多,對于厚度大于1.5mm的人造CVD金剛石更加明顯,導(dǎo)致人造CVD金剛石的耐磨性和拋光效果降低,人造CVD金剛石作為珠寶首飾或者在其他領(lǐng)域的應(yīng)用受到限制。
此外,由于在生長過程中在熱絲表面產(chǎn)生的石墨等非晶碳成分極易落在生長中的金剛石表面,導(dǎo)致金剛石成品的內(nèi)部具有缺陷,降低人造CVD金剛石的品質(zhì)。同時,僅在熱絲下方設(shè)置生長基體,因此,使用傳統(tǒng)熱絲CVD合成設(shè)備只能單面生長CVD金剛石,對熱能的利用率低。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種制備首飾用人造CVD金剛石的設(shè)備,以解決人造CVD金剛石尺寸小、達不到預(yù)期裝飾效果,以及人造CVD金剛石致密性差、內(nèi)部缺陷嚴重等問題。
本實用新型提供以下幾個方面:
第一方面,本實用新型提供一種制備首飾用人造CVD金剛石的設(shè)備,所述設(shè)備包括:密閉的沉積室1,在所述沉積室1中豎直設(shè)置有熱絲組件2,在熱絲組件2兩側(cè)分別設(shè)置有基體組件3,所述熱絲組件2包括固定電極板21、滑動電極板22、盤繞于固定電極板21與滑動電極板22之間的熱絲23以及兩個電極組,所述電極組包括正電極組和負電極組,正電極組與固定電極板21/滑動電極板22連通,負電極組與滑動電極板22/固定電極板21連通,所述熱絲23盤繞成熱絲網(wǎng)面,所述熱絲網(wǎng)面可沿熱絲拉伸方向做微小往復(fù)運動;所述基體組件3包括傳動桿31,所述傳動桿31的一端設(shè)置有基片臺32,在另一端設(shè)置有連接臺33,所述基片臺32設(shè)置于所述沉積室1內(nèi)部,所述連接臺設(shè)置于所述沉積室1外部,在所述基片臺32前端面上設(shè)置有沉積基體34;所述沉積基體34與所述熱絲23相對設(shè)置;所述基體組件3可沿垂直于所述熱絲23網(wǎng)面的方向往復(fù)運動。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





