[實用新型]電鍍洗邊結構有效
| 申請號: | 201820975644.6 | 申請日: | 2018-06-25 |
| 公開(公告)號: | CN209000872U | 公開(公告)日: | 2019-06-18 |
| 發明(設計)人: | 蘇亞青 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 欒美潔 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 洗邊 噴嘴 電鍍 本實用新型 晶圓 圓周均勻分布 機臺 補給管路 單位產出 管路清洗 化學藥液 晶圓中心 距離相等 清洗 進程 | ||
本實用新型公開了一種電鍍洗邊結構,其中包括至少兩條洗邊管路,每一條洗邊管路的前端裝有噴嘴,后端連接化學藥液補給管路,所述噴嘴呈360°圓周均勻分布在晶圓的邊緣;所述噴嘴到晶圓中心的距離相等;每條洗邊管路上均設有開關,可以分別控制每條洗邊管路的打開和關閉。本實用新型在洗邊工藝中采用多條洗邊管路清洗晶圓的邊緣,且可以根據實際需要控制參與清洗的洗邊管路的數量,從而加快洗邊進程,減少洗邊工藝所耗費的時間,提高電鍍機臺的單位產出。
技術領域
本實用新型涉及半導體集成電路制造技術,具體屬于一種電鍍洗邊結構。
背景技術
目前,在半導體制造過程中,對晶圓進行電鍍銅工藝之后,需要將硅晶圓邊緣的銅薄膜進行去除處理(edge bevel remove,簡稱EBR),如圖1所示,從而避免硅晶圓邊緣的這部分銅在后續工藝中產生脫落,導致產品的不良率提升。
然而,隨著半導體產品的尺寸越來越小,芯片連線所需的銅線線寬也越來越窄,沉積在晶圓邊緣的銅薄膜厚度也越來越薄,電鍍工藝所用的時間越來越短,在節點為28nm及以下的電鍍設備中,洗邊工藝所花費的時間無法隨著電鍍工藝相應地成比例減少,這就限制了電鍍工藝的生產效率,成為整個電鍍設備產能提高的瓶頸。
實用新型內容
本實用新型要解決的技術問題是提供一種電鍍洗邊結構,可以解決洗邊工藝效率低耗時多的問題。
為解決上述技術問題,本實用新型提供的電鍍洗邊結構,包括至少兩條洗邊管路,每一條洗邊管路的前端裝有噴嘴,后端連接化學藥液補給管路,所述噴嘴呈360°圓周均勻分布在晶圓的邊緣。
在上述結構中,所述噴嘴到晶圓中心的距離相等。
較佳的,所述洗邊管路的數量為2-10條。
在上述結構中,所述洗邊管路共同連接一條化學藥液補給管路。
或者在上述結構中,每條洗邊管路連接一條獨立的化學藥液補給管路。
在上述結構中,每條洗邊管路上均設有開關,可以分別控制每條洗邊管路的打開和關閉。
其中,所述化學藥液補給管路輸送的是硫酸和雙氧水的混合液。
本實用新型在洗邊工藝中采用多條洗邊管路清洗晶圓的邊緣,且可以根據實際需要控制參與清洗的洗邊管路的數量,從而加快洗邊進程,減少洗邊工藝所耗費的時間,提高電鍍機臺的單位產出。
附圖說明
圖1為現有的電鍍洗邊結構的示意圖;
圖2為本實用新型的電鍍洗邊結構的第一實施例示意圖;
圖3位本實用新型的電鍍洗邊結構的第二實施例示意圖。
其中附圖標記說明如下:
1為晶圓;2為洗邊管路;3為噴嘴。
具體實施方式
下面結合附圖與具體實施方式對本實用新型作進一步詳細的說明。
本實用新型的電鍍洗邊結構,包括至少兩條洗邊管路2,每一條洗邊管路2的前端裝有噴嘴3,后端連接化學藥液補給管路,所述噴嘴3呈360°圓周均勻分布在晶圓1的邊緣。
第一實施例
如圖2所示,在本實施例中,電鍍洗邊結構包括兩條洗邊管路2,這兩條洗邊管路2關于晶圓1的中心均勻分布在晶圓1的邊緣,即兩噴嘴3之間的夾角為180°且兩個噴嘴3到晶圓中心的距離相等。
第二實施例
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





