[實(shí)用新型]半導(dǎo)體裸片封裝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201820970344.9 | 申請(qǐng)日: | 2018-06-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN209119093U | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | F·R·戈麥斯;T·曼高昂;J·塔利多 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 意法半導(dǎo)體公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/60 | 分類號(hào): | H01L23/60;H01L23/49;H01L23/495;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 王茂華;張昊 |
| 地址: | 菲律賓*** | 國(guó)省代碼: | 菲律賓;PH |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 引線框架 封裝 半導(dǎo)體裸片 制造過(guò)程 電隔離 接地 電連接 金屬帶 潛在的 受保護(hù) 分割 | ||
本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體裸片封裝。根據(jù)如本文所解釋的本公開(kāi)的原理,選定的引線通過(guò)金屬帶被電連接到引線框架,直到制造過(guò)程結(jié)束。引線框架通過(guò)制造過(guò)程接地,以防止任何ESD事件對(duì)受保護(hù)的引線造成損壞。在最后的分割步驟中,引線彼此電隔離并與引線框架電隔離,從而維持保護(hù)免受潛在的ESD事件直到最后封裝分割步驟。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體裸片封裝。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體芯片容易受到靜電放電的損害。靜電放電可以發(fā)生在處理半導(dǎo)體芯片期間的各種時(shí)間,在芯片的制造期間以及在芯片的制造之后。在制造過(guò)程期間,半導(dǎo)體芯片被連接到引線框架。引線框架包含大量半導(dǎo)體芯片的陣列。引線框架在整個(gè)制造過(guò)程期間保持為單件陣列,并且在制造過(guò)程結(jié)束時(shí)被分割成單獨(dú)的封裝芯片。在制造過(guò)程中保護(hù)每條引線和ESD事件非常重要,直到最后的分割發(fā)生以及芯片被封裝,準(zhǔn)備銷售。
實(shí)用新型內(nèi)容
根據(jù)如本文所解釋的本公開(kāi)的原理,選擇的引線通過(guò)金屬條帶被電連接到引線框架,直到制造過(guò)程結(jié)束。引線框架通過(guò)在制造過(guò)程中接地,來(lái)防止任何ESD事件對(duì)受保護(hù)的引線造成損壞。在最后的分割步驟中,引線彼此電隔離并與引線框架電隔離,從而維持保護(hù)免受潛在的ESD事件,直到最后的封裝分割步驟。
本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體裸片封裝,包括:由第一金屬制成的引線框架,引線框架具有第一側(cè)和第二側(cè);作為引線框架的一部分的裸片襯墊;作為引線框架的一部分的多個(gè)引線;半導(dǎo)體裸片,定位在裸片襯墊的第一側(cè)上;多條導(dǎo)線,從裸片延伸到每個(gè)相應(yīng)引線的第一側(cè);模塑化合物,用于封裝每個(gè)相應(yīng)引線的第一側(cè)、裸片和導(dǎo)線;導(dǎo)電涂覆層,覆蓋引線框架的第二側(cè)并位于每個(gè)相應(yīng)引線的第二側(cè)上,導(dǎo)電層由與引線框架不同的材料制成;導(dǎo)電線,在封裝的底側(cè)上從引線延伸到封裝的邊緣,引線僅位于封裝的底側(cè)上并且在封裝的側(cè)壁上沒(méi)有引線的任何部分;以及模塑化合物的一部分,直接覆蓋導(dǎo)電線。
在某些實(shí)施例中,在引線與封裝的一側(cè)之間的區(qū)域中的導(dǎo)電涂覆層的寬度比引線的寬度大。
在某些實(shí)施例中,導(dǎo)電線從中延伸的引線是導(dǎo)電線的至少三倍厚。
在某些實(shí)施例中,導(dǎo)電線由至少兩層構(gòu)成,至少兩層是由第一金屬制成的引線框架層和由第二金屬制成的涂覆層。
在某些實(shí)施例中,引線框架層是涂覆層的至少五倍厚。
在某些實(shí)施例中,涂覆層用作掩模以防止在蝕刻步驟中蝕刻引線框架層。
根據(jù)本文公開(kāi)的方法,測(cè)試被執(zhí)行以確定哪些引線在制造過(guò)程期間對(duì)ESD事件敏感。通常,這可能是每個(gè)裸片有三到六個(gè)(對(duì)ESD事件敏感的)引線,而裸片本身有50到100個(gè)引線。在測(cè)試之后,引線框架金屬化物被修改以提供從引線框架到易受ESD事件影響的那些引線的金屬化接觸。之后,引線框架被修改以將引線框架的金屬連接直接添加到易受ESD事件影響的那些引線。這確保了這些引線在整個(gè)制造過(guò)程期間保持接地。在制造過(guò)程結(jié)束時(shí),芯片通過(guò)鋸切引線框架中的每個(gè)芯片來(lái)分割。鋸切過(guò)程去除了每個(gè)引線到引線框架的電連接,并且因此將每個(gè)引線彼此電隔離以及與引線框架本身電隔離。
在制造過(guò)程期間將一些引線接地提供了額外的保護(hù),以避免可能燒毀引線或與其附接的裸片的ESD事件。通過(guò)經(jīng)由隨后鋸切的引線框架提供連接,在分割過(guò)程期間,對(duì)地電連接被自動(dòng)移除并且引線被彼此電隔離。這提供了一種有效且低成本的方法,既為相關(guān)引線提供ESD保護(hù),又在制造過(guò)程結(jié)束時(shí)將其有效地電隔離。
附圖說(shuō)明
圖1是現(xiàn)有技術(shù)中已知的在制造過(guò)程期間使用的水射流清潔站的示意圖。
圖2是未受保護(hù)的引線在水射流清潔步驟期間引起的ESD損壞的照片。
圖3是根據(jù)本文公開(kāi)的原理制造芯片陣列的方法的流程圖。
圖4是根據(jù)圖3的序列測(cè)試引線框架以準(zhǔn)備它們以供制造的方法。
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