[實(shí)用新型]一種磁控濺射設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820969086.2 | 申請日: | 2018-06-22 |
| 公開(公告)號: | CN208762572U | 公開(公告)日: | 2019-04-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉洋;汪振南;雷紹溫;楊永雷;見東偉;張偉;鄔英;劉福山;韓曉琳 | 申請(專利權(quán))人: | 山西米亞索樂裝備科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35 |
| 代理公司: | 北京英創(chuàng)嘉友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11447 | 代理人: | 陳慶超;桑傳標(biāo) |
| 地址: | 037000 山西*** | 國省代碼: | 山西;14 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 網(wǎng)狀屏蔽 真空腔室 鍍膜腔 防護(hù)板 磁控濺射設(shè)備 本實(shí)用新型 磁控濺射靶 側(cè)壁 干擾磁場 高效電磁 濺射設(shè)備 平穩(wěn)運(yùn)行 氣體污染 板設(shè)置 屏蔽板 屏蔽 拆卸 磁場 外部 | ||
1.一種磁控濺射設(shè)備,其特征在于,包括:設(shè)置在所述設(shè)備的真空腔室(1)內(nèi)的網(wǎng)狀屏蔽板(2);
所述真空腔室(1)內(nèi)包括一個(gè)或多個(gè)鍍膜腔(3),所述網(wǎng)狀屏蔽板設(shè)置在所述鍍膜腔(3)內(nèi)的側(cè)壁上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射設(shè)備,其特征在于,所述鍍膜腔(3)內(nèi)的側(cè)壁還設(shè)置有防護(hù)板(4),所述網(wǎng)狀屏蔽板(2)設(shè)置在所述防護(hù)板(4)外側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射設(shè)備,其特征在于,所述網(wǎng)狀屏蔽板(2)是由銅合金線通過交叉打結(jié)編織制成的網(wǎng)狀板。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁控濺射設(shè)備,其中所述銅合金線的直徑為1~2mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控濺射設(shè)備,其中所述防護(hù)板(4)為1.2~1.8㎜厚的鋼板。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控濺射設(shè)備,其中所述鍍膜腔(3)的內(nèi)壁上預(yù)留有安裝孔,用于安裝所述防護(hù)板(4)和所述網(wǎng)狀屏蔽板(2)。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控濺射設(shè)備,其中所述鍍膜腔(3)的上下兩內(nèi)壁設(shè)置有連接件,用于與所述防護(hù)板(4)和所述網(wǎng)狀屏蔽板(2)連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射設(shè)備,其特征在于,所述鍍膜腔(3)內(nèi)設(shè)置有磁控濺射靶(5)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射設(shè)備,其中所述鍍膜腔(3)為四個(gè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁控濺射設(shè)備,其中所述網(wǎng)狀屏蔽板(2)和所述磁控濺射靶(5)相隔距離為70~100mm。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





