[實用新型]研磨模塊及包括其的基板研磨裝置有效
| 申請號: | 201820960598.2 | 申請日: | 2018-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN208592709U | 公開(公告)日: | 2019-03-12 |
| 發明(設計)人: | 林鐘逸;趙珳技 | 申請(專利權)人: | 凱斯科技股份有限公司 |
| 主分類號: | B24B37/10 | 分類號: | B24B37/10;B24B37/20;B24B37/34;B24B57/02 |
| 代理公司: | 北京冠和權律師事務所 11399 | 代理人: | 朱健;張國香 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 研磨 驅動軸 基板研磨裝置 研磨墊 研磨液 基板 流體供給部 基底部件 基板供給 基板上部 供給部 研磨面 流體 加壓 | ||
公開一種研磨模塊及包括其的基板研磨裝置,其通過研磨模塊向基板供給研磨液。基板研磨裝置包括:研磨墊,其設置于基板上部,與所述基板相接觸并研磨所述基板;基底部件,其下側設置有所述研磨墊;驅動軸,其設置于所述基底部件的上部;流體供給部,其設置于所述驅動軸,通過所述驅動軸供給加壓所述研磨墊的流體;以及研磨液供給部,其在所述驅動軸通過與所述流體供給部不同的流路向基板的被研磨面供給研磨液。
技術領域
以下實施例涉及一種研磨模塊及包括其的基板研磨裝置。
背景技術
半導體元件的制造需要CMP(chemical mechanical polishing,化學機械研磨)作業,CMP作業包括:研磨和拋光(buffing)及清洗。半導體元件為多層結構的形態,且在基板層形成有具有擴散區域的晶體管元件。在基板層,連接金屬線圖案化,并且以電連接于形成有功能性元件的晶體管元件。如公知的一樣,圖案化的導電層通過二氧化硅等絕緣材料與其他導電層絕緣。由于形成更多的金屬層和與其相關的絕緣層,從而使絕緣材料平坦的必要性增加。若沒有實現平坦化,則由于在表面形態的很多變動,實質上,追加金屬層的制造更難。此外,金屬線圖案由絕緣材料形成,通過基板研磨作業來去除過量金屬物。
現有的基板研磨裝置作為用于對基板的一面或兩面進行研磨、拋光及清洗的構成要素,設置有機械研磨部件,機械研磨部件包括傳送帶、研磨墊或刷子,利用研磨液溶液內的化學成分來促進及強化研磨作業。
另外,通常,基板研磨裝置以如下形式實現研磨:向附著于研磨平板(platen)的研磨墊和安裝于載體頭的基板之間供給包括研磨粒子的研磨液的同時,隨著向同一方向旋轉,通過研磨墊和基板之間的相對旋轉速度使得基板表面平坦化。
基板的面積逐漸變大,研磨大面積基板時,為了使研磨均勻度適合,眾所周知的方式為,將基板載體分割為多個區域且設置柔韌性薄膜,通過向各個區域施加不同的壓力來控制研磨量。但是,即使如所述一樣對基板載體進行分割,在使得基板的研磨均勻度維持一定并進行控制方面也存在極限,因而需要新的控制研磨量的方式。
另外,隨著基板的大小逐漸大面積化,難以進行向基板研磨裝置及基板載體的基板的裝載和卸載,從而產生延遲時間,并且降低生產量(throughput)。
此外,在研磨基板時向基板的被研磨面供給用于研磨基板的研磨液。現有的基板研磨裝置隨著研磨模塊加壓基板的同時旋轉而研磨基板,設置于現有的研磨模塊的用于加壓的流體口的情況,因為用于供給研磨液的端口及供給空氣的端口形成為一體,所以有在一個端口發生損壞時需要替換整個端口的問題。
尤其,就用于供給研磨液的端口而言,研磨液特性上會產生內部的腐蝕或堵塞現象,所以有必要定期的替換研磨液供給部,此時,存在由于裝置的中斷而導致的生產力低下的問題。據此,實情是需要一種用于解決由于研磨液供給部的替換而導致的問題的研磨裝置。
實用新型內容
根據實施例,提供一種基板研磨裝置,其獨立地與用于加壓的流體口及用于注入研磨液的研磨液供給部相連接,易于替換研磨液供給部。
實施例中想要解決的課題并非受限于如上所述的課題,從業者可以從以下記載明確地理解沒有提及的其他課題。
根據用于實現所述想要解決的課題的實施例,基板研磨裝置的研磨模塊包括:研磨墊,其設置于基板上部,與所述基板相接觸并研磨所述基板;基底部件,其下側設置有所述研磨墊;驅動軸,其設置于所述基底部件的上部;流體供給部,其設置于所述驅動軸,通過所述驅動軸供給加壓所述研磨墊的流體;以及研磨液供給部,其在所述驅動軸通過與所述流體供給部不同的流路向基板的被研磨面供給研磨液。
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