[實(shí)用新型]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201820957933.3
• 申請(qǐng)日: 2018-06-21
• 公開（公告）號(hào): CN208298830U
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊號(hào)號(hào);王恩博;張勇;陶謙;胡禺石;呂震宇;盧峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L27/1157
• 分類號(hào): H01L27/1157;H01L27/115
• 代理公司: 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294
• 代理人: 董琳

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括第一堆疊結(jié)構(gòu)、貫穿所述第一堆疊結(jié)構(gòu)的第一溝道孔結(jié)構(gòu)，所述第一溝道孔結(jié)構(gòu)頂部還形成有半導(dǎo)體層和位于所述半導(dǎo)體層上的凹槽；

位于所述基底表面的第二堆疊結(jié)構(gòu)；

貫穿所述第二堆疊結(jié)構(gòu)到達(dá)所述凹槽的第二溝道孔；

位于所述第二溝道孔側(cè)壁和所述凹槽內(nèi)壁的第二功能側(cè)墻；

位于所述第二功能側(cè)墻表面和所述第二功能側(cè)墻未覆蓋的所述半導(dǎo)體層表面的第二溝道層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：形成于所述第二功能側(cè)墻和所述半導(dǎo)體層之間的氧化層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氧化層為干氧氧化層、濕氧氧化層或沉積氧化層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氧化層的厚度為2nm～10nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氧化層的材料為氧化硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體層的厚度為10nm～40nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一溝道孔結(jié)構(gòu)包括第一溝道孔、位于所述第一溝道孔側(cè)壁表面的第一功能側(cè)墻，位于所述第一功能側(cè)墻表面、第一溝道孔底部表面的第一溝道層以及位于所述第一溝道層表面填充滿所述第一溝道孔的第一溝道介質(zhì)層；所述第二溝道孔寬度小于所述第一溝道孔寬度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括位于所述第二溝道層表面且填充滿所述第二溝道孔的第二溝道介質(zhì)層。