[實用新型]支撐模塊以及晶圓移動設備有效
| 申請號: | 201820949948.5 | 申請日: | 2018-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN208298807U | 公開(公告)日: | 2018-12-28 |
| 發明(設計)人: | 廖惇材;林宏毅;彭柏翰 | 申請(專利權)人: | 旺矽科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人: | 關暢;王燕秋 |
| 地址: | 中國臺灣新*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓 晶圓平臺 支撐模塊 固定元件 支撐環 本實用新型 移動設備 支撐 移動模塊 晶粒 支撐面 環繞 垂直 震動 移動 | ||
本實用新型涉及一種支撐模塊以及晶圓移動設備,適于連接至一晶圓平臺以將一晶圓環固定在晶圓平臺上。支撐模塊包括一支撐環以及多個固定元件。支撐環適于環繞晶圓平臺,并具有一支撐面,以支撐晶圓環。多個固定元件連接至支撐環,以在垂直于支撐面的一方向上限制晶圓環在支撐面上的位置。由此,晶圓環通過本實用新型的支撐模塊上的多個固定元件而被固定于晶圓平臺上。當移動模塊經由晶圓平臺移動晶圓環時,可以降低晶圓環在晶圓平臺上的震動,進而提升晶粒的點測質量。
技術領域
本實用新型涉及一種支撐結構以及移動設備,特別是指一種支撐模塊以及晶圓移動設備。
背景技術
在半導體元件的制作過程中,尤其是指發光二極管的制作過程中,晶圓(Wafer)可被切割成多個晶粒(Die)。在切割晶圓之后,可經由探針對晶圓的晶粒進行電性測試。然而,為了確保探針與晶圓的晶粒達到良好的電性導通,晶圓的晶粒必須被穩定地固定于吸附平臺上,以使探針的尖端與其接觸良好,進而建立有效的電性導通。
在習知技術中,晶圓移動設備能夠經由移動其晶圓平臺來移動裝載在晶圓平臺上的一晶圓或多個晶粒,使得晶圓的晶粒能夠被用于點測的一探針組所接觸。為了有效地承載并移動晶圓,晶圓移動設備通過外部的真空設備提供晶圓平臺一吸附力,進而將晶圓的晶粒吸附在晶圓平臺上。
然而,依照習知的晶圓移動設備,用于承載晶圓的元件并非完全固定于晶圓平臺。因此,在點測的過程中,晶圓移動設備容易使承載晶圓的元件受到震動而造成點測的數值異常。
發明內容
針對上述問題,本實用新型的主要目的在于提供一種支撐模塊以及晶圓移動設備,用于將晶圓環固定在晶圓平臺上。
為達到上述目的,本實用新型所提供的一種支撐模塊,適于連接至一晶圓平臺,以將一晶圓環固定在所述晶圓平臺上,其特征在于所述支撐模塊包括:一支撐環,適于環繞所述晶圓平臺,并具有一支撐面,以支撐所述晶圓環;多個固定元件,連接至所述支撐環,以在垂直于所述支撐面的一方向上限制所述晶圓環在所述支撐面上的位置。
上述本實用新型的支撐模塊,還包括至少一對位元件,連接至所述支撐環,以在平行于所述支撐面的一平面上限制所述晶圓環在所述支撐面上的位置。
所述至少一對位元件凸出于所述支撐面,且所述至少一對位元件的內側與所述晶圓環的外側的一部分形狀互補相互配合。
所述至少一對位元件與所述支撐環一體成形。
各所述固定元件具有一真空吸嘴,各所述真空吸嘴設置于所述支撐環中并連接至外部的一真空源,且各所述真空吸嘴依照所述真空源的驅動提供真空吸力,以將所述晶圓環吸附在所述支撐面上。
各所述固定元件還具有一端口,各所述端口連接對應的所述真空吸嘴,且各所述真空吸嘴經由對應的所述端口連接至外部的所述真空源。
各所述固定元件具有一汽缸及一按壓件,且各所述汽缸連接至所述支撐環并連接對應的所述按壓件,各所述汽缸連接至外部的一真空源,且各所述汽缸依照所述真空源的驅動移動對應的所述按壓件,以將所述晶圓環按壓在所述支撐面上。
各所述固定元件還具有一對端口,各所述對端口連接對應的所述汽缸,且各所述汽缸經由對應的所述對端口連接至外部的所述真空源。
本實用新型所提供的一種晶圓移動設備,適于承載一晶圓環,其特征在于包括:一移動模塊;一晶圓平臺,設置在所述移動模塊上,其中所述晶圓平臺能夠被所述移動模塊帶動而平移、升降或旋轉;一支撐模塊,連接至所述晶圓平臺以將所述晶圓環固定至所述晶圓平臺上,所述支撐模塊包括:一支撐環,環繞所述晶圓平臺,并具有一支撐面,以支撐所述晶圓環;多個固定元件,連接至所述支撐環,以限制所述晶圓環在所述支撐面上的位置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





