[實用新型]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820948488.4
• 申請日: 2018-06-20
• 公開（公告）號: CN208433413U
• 公開（公告）日: 2019-01-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田武;汪宗武;許文山;孫超
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L21/28
• 代理公司: 上海盈盛知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294
• 代理人: 董琳

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底表面的柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包括位于襯底表面的柵介質(zhì)層和位于所述柵介質(zhì)層表面的柵極；

所述柵極包括第一摻雜區(qū)域和第二摻雜區(qū)域，所述第一摻雜區(qū)域內(nèi)摻雜有第一摻雜離子，所述第二摻雜區(qū)域摻雜有第二摻雜離子，所述第二摻雜離子為P型摻雜離子，所述第一摻雜離子能夠提高所述P型摻雜離子在所述柵極內(nèi)的分凝系數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一摻雜離子包括C和Ge中的至少一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一摻雜離子分布于所述柵極的各個位置處。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二摻雜離子包括B或BF₂中的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底內(nèi)的源極和漏極。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：位于所述柵極頂部表面的柵極接觸層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極接觸層的材料包括鎢硅化物和鎳硅化物中的至少一種。