[實(shí)用新型]低壓互感器及其射頻電子標(biāo)簽

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820946450.3
• 申請日: 2018-06-19
• 公開（公告）號: CN208271225U
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉濤;戴志波
• 申請（專利權(quán)）人: 北京國金源富科技有限公司
• 主分類號: G06K19/077
• 分類號: G06K19/077
• 代理公司: 北京信遠(yuǎn)達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11304
• 代理人: 魏曉波

1.一種射頻電子標(biāo)簽，其特征在于，應(yīng)用在低壓互感器上，所述射頻電子標(biāo)簽包括：

基材(11)、天線、第一涂料層(13)、第二涂料層(15)和芯片(16)；

所述基材(11)包括相對設(shè)置的正面和背面；

所述天線包括位于所述基材(11)正面的正面天線(12)和位于所述基材(11)背面的背面天線(14)，其中，所述正面天線(12)和所述背面天線(14)通過電氣連接孔(17)電氣連接；

所述第一涂料層(13)位于所述正面天線(12)背離所述基材(11)的表面；

所述第二涂料層(15)位于所述背面天線(14)背離所述基材(11)的表面；

所述芯片(16)固定在所述背面天線(14)上；

其中，所述第一涂料層(13)、所述正面天線(12)、所述基材(11)、所述背面天線(14)和所述芯片(16)以及所述第二涂料層(15)依次層疊為層疊結(jié)構(gòu)；

所述背面天線(14)為微帶二單元天線陣列；

所述芯片(16)為封裝結(jié)構(gòu)的芯片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻電子標(biāo)簽，其特征在于，所述芯片(16)為SOT23-3封裝結(jié)構(gòu)、方形扁平無引腳封裝結(jié)構(gòu)、芯片級封裝結(jié)構(gòu)或雙邊扁平無引腳封裝結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻電子標(biāo)簽，其特征在于，所述芯片(16)通過SMT表面組裝技術(shù)貼片焊接在所述背面天線(14)上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻電子標(biāo)簽，其特征在于，所述第一涂料層(13)的涂料為反射率低于60％，且對1064nm激光的吸收率大于80％的涂料。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的射頻電子標(biāo)簽，其特征在于，所述第一涂料層(13)包括層疊設(shè)置的第一子涂料層和第二子涂料層，所述第一子涂料層對1064nm激光的吸收率高于所述第二子涂料層對1064nm激光的吸收率；

所述第二子涂料層位于所述第一子涂料層和所述正面天線(12)之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻電子標(biāo)簽，其特征在于，所述第一涂料層(13)和所述第二涂料層(15)采用靜電吸附鍍膜工藝形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻電子標(biāo)簽，其特征在于，所述正面天線(12)和所述背面天線(14)均為銅天線。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻電子標(biāo)簽，其特征在于，所述基材(11)為射頻板。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻電子標(biāo)簽，其特征在于，所述射頻電子標(biāo)簽為方形或圓形。

10.一種低壓互感器，其特征在于，包括低壓互感器本體和射頻電子標(biāo)簽；

其中，所述射頻電子標(biāo)簽為權(quán)利要求1-9任意一項(xiàng)所述的射頻電子標(biāo)簽；

所述射頻電子標(biāo)簽通過注塑工藝與所述低壓互感器本體結(jié)合；

且所述射頻電子標(biāo)簽的背面天線和芯片注塑在所述低壓互感器本體內(nèi)部，所述正面天線位于所述低壓互感器本體外側(cè)。