[實(shí)用新型]半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的電阻值量測(cè)電路裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201820946073.3
• 申請(qǐng)日: 2018-06-19
• 公開（公告）號(hào): CN208270713U
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26;G01R27/02;G11C29/56
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務(wù)所 11313
• 代理人: 張臻賢;武晨燕

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的電阻值量測(cè)電路裝置，其特征在于，包括：

第一被校準(zhǔn)單元，連接于第一電壓接口與第一讀取接口之間，其中，所述第一被校準(zhǔn)單元與所述第一電壓接口之間形成第一連接點(diǎn)；

第一保護(hù)單元，連接于第二電壓接口與所述第一讀取接口之間；以及

第一量測(cè)開關(guān)晶體管，連接于所述第一連接點(diǎn)和第二讀取接口之間；

其中，所述第一電壓接口和所述第二電壓接口用于提供電壓差，以使電流經(jīng)過(guò)所述第一被校準(zhǔn)單元和所述第一保護(hù)單元；在所述第一量測(cè)開關(guān)晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)下，通過(guò)量測(cè)所述第一讀取接口和所述第二讀取接口的電壓以及所述第一被校準(zhǔn)單元的電流，以獲得所述第一被校準(zhǔn)單元的電阻值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻值量測(cè)電路裝置，其特征在于，所述第一被校準(zhǔn)單元包括：

第一校準(zhǔn)開關(guān)晶體管，所述第一校準(zhǔn)開關(guān)晶體管的源極連接于所述第一連接點(diǎn)；以及

第一被校準(zhǔn)電阻，連接于所述第一校準(zhǔn)開關(guān)晶體管的漏極和所述第一讀取接口之間；

其中，所述第一校準(zhǔn)開關(guān)晶體管導(dǎo)通，使電流經(jīng)過(guò)所述第一被校準(zhǔn)電阻。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻值量測(cè)電路裝置，其特征在于，所述第一保護(hù)單元包括：

第一保護(hù)開關(guān)晶體管，所述第一保護(hù)開關(guān)晶體管的漏極連接于所述第一讀取接口；以及

第一保護(hù)電阻，連接于所述第一保護(hù)開關(guān)晶體管的源極與所述第二電壓接口之間；

其中，所述第一保護(hù)開關(guān)晶體管導(dǎo)通，使電流經(jīng)過(guò)所述第一保護(hù)電阻。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的電阻值量測(cè)電路裝置，其特征在于，還包括：

第二被校準(zhǔn)單元，連接于所述第二電壓接口和所述第一讀取接口之間，其中，所述第二被校準(zhǔn)單元與所述第二電壓接口之間形成第二連接點(diǎn)；以及

第二保護(hù)單元，連接于所述第一電壓接口與所述第一讀取接口之間；

第二量測(cè)開關(guān)晶體管，連接于所述第二連接點(diǎn)和第三讀取接口之間；

其中，所述電壓差使電流經(jīng)過(guò)所述第二保護(hù)單元和所述第二被校準(zhǔn)單元；在所述第二量測(cè)開關(guān)晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)下，斷開經(jīng)過(guò)所述第一被校準(zhǔn)單元和第一保護(hù)單元的電流，通過(guò)量測(cè)所述第一讀取接口和所述第三讀取接口的電壓以及所述第二被校準(zhǔn)單元的電流，以獲得所述第二被校準(zhǔn)單元的電阻值。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電阻值量測(cè)電路裝置，其特征在于，所述第二被校準(zhǔn)單元包括：

第二校準(zhǔn)開關(guān)晶體管，所述第二校準(zhǔn)開關(guān)晶體管的源極連接于所述第二連接點(diǎn)；以及

第二被校準(zhǔn)電阻，連接于所述第二校準(zhǔn)開關(guān)晶體管的漏極和所述第一讀取接口之間；

其中，所述第二校準(zhǔn)開關(guān)晶體管導(dǎo)通，使電流經(jīng)過(guò)所述第二被校準(zhǔn)電阻。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電阻值量測(cè)電路裝置，其特征在于，所述第二保護(hù)單元包括：

第二保護(hù)開關(guān)晶體管，所述第二保護(hù)開關(guān)晶體管的漏極連接于所述第一讀取接口；以及

第二保護(hù)電阻，連接于所述第二保護(hù)開關(guān)晶體管的源極與所述第一電壓接口之間；

其中，所述第二保護(hù)開關(guān)晶體管導(dǎo)通，使電流經(jīng)過(guò)所述第二保護(hù)電阻。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的電阻值量測(cè)電路裝置，其特征在于，所述第一電壓接口和所述第二電壓接口、所述第一讀取接口以及所述第二讀取接口均外露于所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的封裝外部。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電阻值量測(cè)電路裝置，其特征在于，所述第一電壓接口、所述第二電壓接口、所述第一讀取接口、所述第二讀取接口以及所述第三讀取接口均外露于所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的封裝外部。