[實用新型]半導體存儲器的電阻值量測電路裝置

有效

• 申請號: 201820946073.3
• 申請日: 2018-06-19
• 公開（公告）號: CN208270713U
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R27/02;G11C29/56
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務所 11313
• 代理人: 張臻賢;武晨燕

本實用新型提供一種半導體存儲器的電阻值量測電路裝置，包括連接于第一電壓接口與第一讀取接口之間的第一被校準單元，第一被校準單元與第一電壓接口之間形成第一連接點；連接于第二電壓接口與第一讀取接口之間的第一保護單元；以及連接于第一連接點和第二讀取接口之間的第一量測開關晶體管；其中，第一電壓接口和第二電壓接口用于提供電壓差，以使電流經過第一被校準單元和第一保護單元；在第一量測開關晶體管處于導通狀態下，通過量測第一讀取接口和第二讀取接口的電壓以及第一被校準單元的電流，以獲得第一被校準單元的電阻值，從而可以避免接觸電阻的影響，精確量測半導體存儲器的數據接口的內部電阻器的電阻值。

技術領域

本實用新型涉及半導體集成電路技術領域，尤其涉及一種半導體存儲器的電阻值量測電路裝置。

背景技術

存儲器(Memory)是現代信息技術中用于保存信息的記憶設備，如動態隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，簡稱DRAM)。DRAM的讀取口設計上會經由一個電阻器來控制讀取口電位高或低及其所需消耗的電流量，因此電阻器的電阻值需要在一個固定的規格內，但因制造的過程中其會造成制造出來的電阻器的電阻值為不均一，故需要借由測試機的量測來為其校正。

如圖1所示為現有技術的DRAM的讀取口的電阻值的量測電路100，包括第一被校準單元130和第二被校準單元150，以及三個封裝于DRAM外部的接口：第一電壓接口111、第二電壓接口112和讀取口121。

當量測第一被校準單元130的電阻值時，施加工作電壓于第一電壓接口 111，第一開關晶體管T1′導通，第二開關晶體管T2′關斷，r₁₃₀＝(V₁₁₁-V₁₂₁)/I₁₃₀，其中，r₁₃₀是第一被校準單元130、接觸電阻R5′和R7的電阻值總和，V₁₁₁是第一電壓接口111的電壓值，即工作電壓，V₁₂₁是讀取口121的電壓值，I₁₃₀是經過第一被校準單元130的電流。也就是說，來自測試機臺的介面卡的接觸電阻 R5′和R7將影響量測結果。同理，在量測第二被校準單元150的電阻值時，接觸電阻R7和R6′將影響量測結果。

因此，現有技術中，因測試機臺的介面卡與半導體存儲器的接口的接觸電阻將影響讀取口的內部電阻值的量測結果，進而影響電阻值校準結果。

實用新型內容

本實用新型實施例提供一種半導體存儲器的電阻值量測電路裝置，以解決或緩解現有技術中的一項或更多項技術問題。

實用新型實施例提供一種半導體存儲器的電阻值量測電路裝置，包括：

第一被校準單元，連接于第一電壓接口與第一讀取接口之間，其中，所述第一被校準單元與所述第一電壓接口之間形成第一連接點；

第一保護單元，連接于第二電壓接口與所述第一讀取接口之間；以及

第一量測開關晶體管，連接于所述第一連接點和第二讀取接口之間；

其中，所述第一電壓接口和所述第二電壓接口用于提供電壓差，以使電流經過所述第一被校準單元和所述第一保護單元；在所述第一量測開關晶體管處于導通狀態下，通過量測所述第一讀取接口和所述第二讀取接口的電壓以及所述第一被校準單元的電流，以獲得所述第一被校準單元的電阻值。

優選地，所述第一被校準單元包括：

第一校準開關晶體管，所述第一校準開關晶體管的源極連接于所述第一連接點；以及

第一被校準電阻，連接于所述第一校準開關晶體管的漏極和所述第一讀取接口之間；

其中，所述第一校準開關晶體管導通，使電流經過所述第一被校準電阻。

優選地，所述第一保護單元包括：