[實用新型]一種倒裝LED芯片

有效

• 申請號: 201820940983.0
• 申請日: 2018-06-15
• 公開（公告）號: CN208400865U
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發明（設計）人: 王兵
• 申請（專利權）人: 佛山市國星半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/48;H01L33/60;H01L33/62
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓

本實用新型公開了一種倒裝LED芯片，包括：襯底、設于襯底上的外延層、裸露區域、設于第二半導體層上的透明導電層、切割道、絕緣層、反射層、第一電極和第二電極，其中，所述切割道貫穿透明導電層和外延層并延伸至襯底的表面。本實用新型的切割道直接延伸至襯底表面，在芯片邊緣不再存在臺階刻蝕線寬和透明導電層線寬，使倒裝LED芯片的發光面積達到最大，增加了第二半導體層與透明導電層的接觸面積，從而增加電流傳導面積，進而提升了倒裝LED芯片的亮度并降低了的電壓。

技術領域

本實用新型涉及發光二極管技術領域，尤其涉及一種倒裝LED芯片。

背景技術

LED(Light Emitting Diode，發光二極管)是一種利用載流子復合時釋放能量形成發光的半導體器件，倒裝LED芯片具有耗電低、色度純、壽命長、體積小、響應時間快、節能環保等諸多優勢。

現有的倒裝LED芯片一般包襯底、N型氮化鎵層、有源層、P型氮化鎵層、透明導電層和電極，在制作倒裝LED芯片時，需要對LED晶園進行切割，從而形成單顆倒裝LED芯片。具體的，LED晶園在切割前，需要對透明導電層、P型氮化鎵層和有源層進行刻蝕，形成切割道，這樣才能沿著切割道對LED晶園進行切割。如圖1所示，現有的切割道包括第一切割道41和第二切割道42，第一切割道41貫穿透明導電層24并延伸至P型氮化鎵層23的表面，第二切割道42貫穿透明導電層24、P型氮化鎵層23和有源層23并延伸至N型氮化鎵層21的表面。現有的倒裝LED芯片通過第一切割道將透明導電層和P型氮化鎵層的邊緣留有空隙，通過第二切割道將有源層和N型氮化鎵層的邊緣留有空隙，從而防止芯片發生漏電。由于LED晶圓在切割成單顆倒裝LED芯片時，容易將上一層結構的邊緣粘連到下一層結構的邊緣，因此導致芯片漏電。

但是，現有的切割道需要對LED晶圓進行兩次刻蝕，工藝復雜；此外，會減少芯片和透明導電層的面積，影響倒裝LED芯片的電流分布和減少發光面積。

發明內容

本實用新型所要解決的技術問題在于，提供一種倒裝LED芯片，切割道貫穿透明導電層和外延層并延伸至襯底，增加有源層的面積，增加第二半導體層與透明導電層的接觸面積，從而增加電流傳導面積，進而提升了倒裝LED芯片的亮度并降低了的電壓。

為了解決上述技術問題，本實用新型提供了一種倒裝LED芯片，包括：

襯底；

設于襯底上的外延層，所述外延層包括依次設于襯底上的第一半導體層、有源層和第二半導體層；

裸露區域，所述裸露區域貫穿第二半導體層和有源層并延伸至第一半導體層；

設于第二半導體層上的透明導電層；

切割道，所述切割道貫穿透明導電層和外延層并延伸至襯底的表面；

設于透明導電層上和切割道上的絕緣層；

設于絕緣層上的反射層；

第一電極和第二電極，所述第一電極位于裸露區域，并設于第一半導體層上，所述第二電極貫穿絕緣層和反射層并設于透明導電層上。

作為上述方案的改進，所述切割道位于倒裝LED芯片的邊緣。

作為上述方案的改進，所述切割道的寬度不大于30微米。

作為上述方案的改進，還包括第一焊盤和第二焊盤，第一焊盤設于第一電極上，第二焊盤設于第二電極上。

作為上述方案的改進，所述絕緣層由絕緣材料制成。

作為上述方案的改進，所述反射層由反射金屬制成。

實施本實用新型，具有如下有益效果：