[實用新型]一種磁控濺射設備

有效

• 申請號: 201820940849.0
• 申請日: 2018-06-19
• 公開（公告）號: CN208517520U
• 公開（公告）日: 2019-02-19
• 發明（設計）人: 盧鳳瑜
• 申請（專利權）人: 德州易能新能源科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 北京中政聯科專利代理事務所(普通合伙) 11489
• 代理人: 陳超

本實用新型提供一種磁控濺射設備，包括：靶材，設置為陰極；遮罩殼，設置在所述靶材外部，將所述靶材罩設在其內部，所述遮罩殼具有開口；絕緣隔離層，設置在所述遮罩殼和所述靶材之間；至少一個壓條，設置為陽極，其一端與所述的開口固定連接,其另一端形成凸起部，所述凸起部與所述壓條處于同一平面,并向外延伸,形成尖端。本實用新型提供的磁控濺射設備將陽極所連接的壓條設置為尖端，通過將壓條設計為尖端，可以擴大壓條尖端處的電勢能的范圍，使距離尖端較遠處的Ar原子也可以被電離成Ar+，從而可以電離得到更多數量的Ar+，以及增大Ar+的平均自由行程。

技術領域

本實用新型涉及磁控濺射領域，尤其是涉及一種磁控濺射設備。

背景技術

磁控濺射是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，PVD)的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料，且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點，被廣泛應用在機械、電子、能源、信息等領域。

磁控濺射的基本原理是利用Ar-O2混合氣體中的等離子體在電場和交變磁場的作用下，被加速的高能粒子轟擊靶材表面，能量交換后，靶材表面的原子脫離原晶格而逸出，轉移到基體表面而成膜。目前，磁控設備中，壓條是規則的長條形狀的，導致陽極表面聚積電荷少，電勢能釋放少，導致被激發離子自由程短，耗能較高。

實用新型內容

本實用新型的目的是為了解決現有技術中，磁控濺射設備的陽極壓條的表面聚集電荷少，電勢能釋放少，導致被激發的Ar離子自由程短，耗能較高的不足，提供一種磁控濺射設備。

為解決上述問題，本實用新型提供了一種磁控濺射設備，包括：靶材，設置為陰極；遮罩殼，設置在所述靶材外部，將所述靶材罩設在其內部，所述遮罩殼具有開口；絕緣隔離層，設置在所述遮罩殼和所述靶材之間；至少一個壓條，設置為陽極，其一端與所述的開口固定連接,其另一端形成凸起部，所述凸起部與所述壓條處于同一平面,并向外延伸,形成尖端。

進一步地，凸起部設置為逐漸收縮至尖端。

進一步地，凸起部設置為逐漸擴大及逐漸收縮至所述尖端。

進一步地，凸起部的最高點形成尖端結構，所述尖端結構為三角形，所述凸起部的尖端結構形成尖韌狀。

進一步地，三角形狀的頂角為0-30度。

進一步地，三角形狀的頂角為0-10度。

進一步地，凸起部的最高點向外延伸形成針狀結構。

進一步地，壓條為2個，2個壓條的尖端相對設置。

進一步地，遮罩殼為方形；壓條為4個，分布在遮罩殼的四周。

本實用新型的上述技術方案具有如下有益的技術效果：

本實用新型提供的磁控濺射設備將陽極所連接的壓條設置為尖端，通過將壓條設計為尖端，可以擴大壓條尖端處的電勢能的范圍，使距離尖端較遠處的Ar原子也可以被電離成Ar+，從而可以電離得到更多數量的Ar+，以及增大Ar+的平均自由行程；另外，Ar+的能量也隨之增大，從而能夠轟擊得到更多的金屬原子，增大轟擊效率，并提高靶材利用率。

附圖說明

圖1是示意性的示出磁控濺射設備的原理圖；

圖2是根據本實用新型第一實施方式的磁控濺射設備的結構示意圖；

圖3是根據本實用新型第一實施方式的磁控濺射設備的原理示意圖；

圖4a是本實用新型壓條的凸起部逐漸收縮至尖端的一種實施方式的結構示意圖；

圖4b是本實用新型壓條的凸起部逐漸收縮至尖端的另一實施方式的結構示意圖；