[實用新型]半導體器件

有效

• 申請號: 201820923789.1
• 申請日: 2018-06-14
• 公開（公告）號: CN208538858U
• 公開（公告）日: 2019-02-22
• 發明（設計）人: 工藤弘儀;德田悟;打矢聰
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L23/528;H01L21/8234;H01L21/768
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;閆劍平

本實用新型提供半導體器件。一個實施方式的半導體器件具有：半導體襯底，其具有第一面、作為第一面的相反面的第二面；第一布線及第二布線，其配置在第一面之上；第一導電膜，其與第一布線電連接；和柵極電極。半導體襯底具有源極區域、漏極區域、漂移區域、體區域。漂移區域配置成在俯視時包圍體區域。第一布線配置成在俯視時跨過漂移區域與體區域的邊界，并且具有與漂移區域電連接的第一部分。第二布線與源極區域電連接。第一導電膜與第二布線絕緣且與該第二布線相對置。

技術領域

本實用新型涉及半導體器件。

背景技術

作為功率半導體器件，一直以來已知有例如溝槽柵型垂直型的MOSFET(MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor：金屬氧化物半導體場效應晶體管)。

在這種溝槽柵型垂直型的MOSFET中產生噪聲的情況下，噪聲從形成在漂移區域與基極區域之間的pn結的結電容通過。然而，在噪聲的頻率低的情況下，該結電容的阻抗變大。其結果為，存在噪聲變得難以通過該結電容的問題。

作為用于解決該問題的半導體器件，提出了日本特開2009-260271號公報(專利文獻1)所記載的半導體器件及美國專利5998833號說明書(專利文獻2)所記載的半導體器件。

專利文獻1所述的半導體器件的半導體襯底具有形成有溝槽型垂直型的MOSFET的溝槽MOS區域、和電容形成區域。在電容形成區域中，半導體襯底具有在漂移區域中從主表面朝向背面一側形成的溝槽、形成于溝槽的表面的絕緣膜、形成在絕緣體膜之上的導電膜。導電膜成為源極電位。因此，在導電膜與漂移區域之間形成有源極-漏極間電容。

專利文獻2所述的半導體器件在半導體襯底中具有與夾在源極區域及漂移區域間的局部的基極區域絕緣且與該基極區域相對置的柵極電極、和與漂移區域絕緣且與該漂移區域相對置的導電膜。柵極電極及導電膜形成在從半導體襯底的主表面朝向背面一側形成的溝槽中。導電膜成為源極電位，與柵極電極相比配置在背面一側。因此，在導電膜與漂移區域之間形成有源極-漏極間電容。

根據專利文獻1及專利文獻2記載的半導體器件，在源極與漏極之間形成了追加的電容，因此，噪聲的影響被降低。然而，在專利文獻1記載的半導體器件中，存在芯片面積增大的問題點。

另外，在專利文獻2記載的半導體器件中，與通常的溝槽柵型垂直型的MOSFET相比，存在需要更深地形成溝槽、需要重復進行多次在溝槽內的絕緣膜的形成及蝕刻等而使工藝復雜化這一問題點。

實用新型內容

其他的課題以及新的特征將根據本說明書的記述以及附圖而變明朗。

一實施方式的半導體器件具有：半導體襯底，其具有第一面、作為第一面的相反面的第二面；第一布線及第二布線，它們配置在第一面之上；第一導電膜，其與第一布線電連接；和柵極電極。半導體襯底具有位于第一面的第一導電型的源極區域、位于第二面的第一導電型的漏極區域、位于漏極區域之上的第一導電型的漂移區域、和夾在源極區域與漂移區域之間的第二導電型的體區域，第二導電型為與第一導電型相反的導電型。漂移區域配置成在俯視時包圍體區域。第一布線配置成在俯視時跨過漂移區域與體區域的邊界，并且具有與漂移區域電連接的第一部分。柵極電極與夾在源極區域與漂移區域之間的體區域絕緣且與體區域相對置。第二布線與源極區域電連接。第一導電膜與第二布線絕緣且與第二布線相對置。

本實用新型的上述以及其他目的、特征、形態以及優點根據結合附圖來理解的關于本實用新型的接下來的詳細說明而變明朗。

附圖說明

圖1是第一實施方式的半導體器件的平面圖。

圖2是圖1的II-II處的剖視圖。

圖3是圖1的III-III處的剖視圖。

圖4是圖1的IV-IV處的剖視圖。