[實(shí)用新型]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201820923789.1
• 申請(qǐng)日: 2018-06-14
• 公開（公告）號(hào): CN208538858U
• 公開（公告）日: 2019-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 工藤弘儀;德田悟;打矢聰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/088
• 分類號(hào): H01L27/088;H01L23/528;H01L21/8234;H01L21/768
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 陳偉;閆劍平

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，

具有：

半導(dǎo)體襯底，其具有第一面、作為所述第一面的相反面的第二面；

第一布線及第二布線，其配置在所述第一面之上；

第一導(dǎo)電膜，其與所述第一布線電連接；和

柵極電極，

所述半導(dǎo)體襯底具有位于所述第一面的第一導(dǎo)電型的源極區(qū)域、位于所述第二面的所述第一導(dǎo)電型的漏極區(qū)域、位于所述漏極區(qū)域之上的所述第一導(dǎo)電型的漂移區(qū)域、和夾在所述源極區(qū)域與所述漂移區(qū)域之間的第二導(dǎo)電型的體區(qū)域，所述第二導(dǎo)電型為與所述第一導(dǎo)電型相反的導(dǎo)電型，

所述漂移區(qū)域配置成在俯視時(shí)包圍所述體區(qū)域，

所述第一布線配置成在俯視時(shí)跨過(guò)所述漂移區(qū)域與所述體區(qū)域的邊界，并且具有與所述漂移區(qū)域電連接的第一部分，

所述柵極電極與夾在所述源極區(qū)域與所述漂移區(qū)域之間的所述體區(qū)域絕緣且與所述體區(qū)域相對(duì)置，

所述第二布線與所述源極區(qū)域電連接，

所述第一導(dǎo)電膜與所述第二布線絕緣且與所述第二布線相對(duì)置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

還具有第二導(dǎo)電膜，該第二導(dǎo)電膜配置成跨過(guò)所述邊界、且與所述柵極電極電連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述第二導(dǎo)電膜沿著所述邊界延伸。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述第二導(dǎo)電膜配置成在俯視時(shí)與所述第一部分重疊。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述第二導(dǎo)電膜具有位于所述漏極區(qū)域之上的第一端、和第二端，所述第二端為所述第一端的相反一側(cè)的端，

所述邊界與所述第一端之間的距離為3μm以上，

所述邊界與所述第二端之間的距離為3μm以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述第一導(dǎo)電膜和所述第二導(dǎo)電膜位于同一層內(nèi)、且由同一材料構(gòu)成。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

還具有第三布線，該第三布線配置在所述第一面之上、且與所述柵極電極電連接，

所述第三布線跨過(guò)所述邊界、且沿著所述邊界延伸，

所述第三布線具有第三端、和與所述第三端分開配置的第四端，

所述第一部分在俯視時(shí)從所述第三端與所述第四端之間通過(guò)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述第三布線在所述第三端及所述第四端處與所述第二導(dǎo)電膜電連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

還具有層間絕緣膜，該層間絕緣膜配置在所述第一面之上，

在所述層間絕緣膜中設(shè)有埋入有所述第二導(dǎo)電膜的至少一個(gè)以上溝槽。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述溝槽的個(gè)數(shù)為多個(gè)，

將彼此相鄰的所述溝槽之間的間隔除所述溝槽的寬度而得到的值在0.5以上1以下。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述溝槽的所述寬度為0.2μm以上0.4μm以下。

12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述第二導(dǎo)電膜一體地形成。