[實(shí)用新型]一種高溫環(huán)境原位探測(cè)GaN基功率器件工作溫度的傳感器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201820916140.7 | 申請(qǐng)日: | 2018-06-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN208767304U | 公開(公告)日: | 2019-04-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉揚(yáng);趙亞文;李柳暗 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中山大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L27/144 | 分類號(hào): | H01L27/144;H01L21/8252 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102 | 代理人: | 陳偉斌 |
| 地址: | 510275 *** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 功率器件 二極管 高溫環(huán)境 原位探測(cè) 傳感器 半導(dǎo)體器件集成 陰極 本實(shí)用新型 二極管電流 應(yīng)力緩沖層 恒定電流 恒定電壓 器件結(jié)構(gòu) 線性關(guān)系 影響功率 原位監(jiān)測(cè) 柵極區(qū)域 制備工藝 陽(yáng)極 襯底 漏極 源極 | ||
實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件集成的技術(shù)領(lǐng)域,更具體地,涉及一種高溫環(huán)境原位探測(cè)GaN基功率器件工作溫度的傳感器。一種高溫環(huán)境原位探測(cè)GaN基功率器件工作溫度的傳感器,其中,從下往上依次包括襯底,應(yīng)力緩沖層,GaN緩沖層,GaN溝道層,AlGaN勢(shì)壘層,功率器件兩端形成源極和漏極以及二極管的一端形成陰極,功率器件柵極區(qū)域形成柵極以及二極管另一端形成陽(yáng)極。本實(shí)用新型器件結(jié)構(gòu)及制備工藝簡(jiǎn)單,利用二極管電流電壓與溫度的線性關(guān)系,在恒定電壓模型下或恒定電流模型下,分別根據(jù)電流或電壓的變化計(jì)算出二極管溫度變化。而二極管與功率器件具有相近的溫度,在不影響功率器件正常工作的同時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)原位監(jiān)測(cè)功率器件溫度。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件集成的技術(shù)領(lǐng)域,更具體地,涉及一種高溫環(huán)境原位探測(cè)GaN基功率器件工作溫度的傳感器;具體涉及到二極管與GaN基功率器件的集成,利用二極管的電流電壓與溫度的線性關(guān)系,實(shí)現(xiàn)高靈敏度的原位監(jiān)測(cè)功率器件工作溫度。
背景技術(shù)
隨著電子設(shè)備及信息通訊領(lǐng)域等高新科技的迅速發(fā)展,功率電子器件性能提升面臨巨大挑戰(zhàn),傳統(tǒng)Si器件系統(tǒng)功率密度增長(zhǎng)出現(xiàn)飽和趨勢(shì)。 GaN 材料作為第三代半導(dǎo)體材料的代表。其具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)、飽和漂移速度大及化學(xué)穩(wěn)定性好等特點(diǎn)。并且GaN基功率電子器件憑借AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)界面高濃度、高遷移率的二維電子氣,具有導(dǎo)通電阻小、開關(guān)速度快等優(yōu)勢(shì),因此GaN基功率電子器件在發(fā)展高溫、高頻、高耐壓能力的大功率開關(guān)器件領(lǐng)域占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。
盡管GaN材料具有優(yōu)異的特性使得GaN基功率電子器件在高溫、高頻、高壓領(lǐng)域占據(jù)優(yōu)勢(shì),但是GaN基功率電子器件長(zhǎng)時(shí)間工作在高溫條件下仍然會(huì)劣化器件性能,比如導(dǎo)通電阻增加,器件漏電增大,甚至?xí)沟闷骷牧现挟a(chǎn)生新的缺陷,造成不可恢復(fù)的性能退化。目前溫度對(duì)GaN基功率器件的影響,主要存在兩大問題:其一,溫度對(duì)封裝器件的影響較大,高溫導(dǎo)致封裝材料的劣化限制了GaN材料本身優(yōu)異性能;其二,目前業(yè)界缺少GaN基功率電子器件安全可靠的工作溫度指標(biāo)。因此,監(jiān)測(cè)GaN基功率電子器件在工作過程中的結(jié)溫變化顯得尤為重要。通過監(jiān)測(cè)GaN基功率電子器件結(jié)溫的變化來對(duì)比分析其性能的變化,挖掘問題突破點(diǎn),通過后續(xù)器件制備工藝、封裝工藝的改善來提高器件的熱穩(wěn)定性。也可根據(jù)GaN基功率電子器件結(jié)溫變化對(duì)比其性能變化,總結(jié)歸納GaN基功率電子器件安全可靠的工作溫度指標(biāo)。
傳統(tǒng)溫度測(cè)量方法包括光學(xué)方法(紅外傳感器)、物理接觸法。紅外傳感器利用紅外輻射效應(yīng)探測(cè)被測(cè)物體的溫度,這種探測(cè)系統(tǒng)復(fù)雜,且易受其它熱源的影響,導(dǎo)致器件結(jié)溫的探測(cè)結(jié)果出現(xiàn)偏差。物理接觸法存在測(cè)量結(jié)果準(zhǔn)確度不高的問題,由于溫度在物理傳導(dǎo)過程中存在熱量的散失,導(dǎo)致器件結(jié)溫被低估,且靈敏度較差。因此,上述兩種方法都不適合用于GaN基功率電子器件的結(jié)溫監(jiān)測(cè),實(shí)現(xiàn)高靈敏度、高準(zhǔn)確度的GaN基功率電子器件的結(jié)溫監(jiān)測(cè)面臨巨大挑戰(zhàn)。研究發(fā)現(xiàn)二極管的電流或電壓與溫度具有線性變化的關(guān)系(S.Madhusoodhanan, S. Sandoval et al.,IEEE Electron Device Letters 38, 2017, pp.1105-1108)。根據(jù)我們的實(shí)驗(yàn)結(jié)果,利用NiO金屬氧化物作陽(yáng)極材料的二極管其電流電壓與溫度同樣具有線性關(guān)系,如圖10所示,這一結(jié)果為本實(shí)用新型奠定了理論依據(jù)。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型為克服上述現(xiàn)有技術(shù)所述的至少一種缺陷,提供一種高溫環(huán)境原位探測(cè)GaN基功率器件工作溫度的傳感器,主要目的在于實(shí)現(xiàn)高靈敏度、高準(zhǔn)確度的GaN基功率器件結(jié)溫原位監(jiān)測(cè)。
本實(shí)用新型將耐高溫的PN結(jié)二極管或肖特基二極管與GaN基功率器件相集成,利用二極管電流-電壓特性曲線與溫度的線性關(guān)系推算出二極管與GaN基功率器件結(jié)溫的變化。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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