[實用新型]一種高溫環境原位探測GaN基功率器件工作溫度的傳感器

有效

• 申請號: 201820916140.7
• 申請日: 2018-06-13
• 公開（公告）號: CN208767304U
• 公開（公告）日: 2019-04-19
• 發明（設計）人: 劉揚;趙亞文;李柳暗
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: H01L27/144
• 分類號: H01L27/144;H01L21/8252
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 陳偉斌

1.一種高溫環境原位探測GaN基功率器件工作溫度的傳感器，其特征在于，從下往上依次包括襯底（1），應力緩沖層（2），GaN緩沖層（3），GaN溝道層（4），AlGaN勢壘層（5），功率器件兩端形成源極（6）和漏極（7）以及二極管的一端形成陰極（8），功率器件柵極區域形成柵極（9）以及二極管另一端形成陽極（10）。

2.根據權利要求1所述的一種高溫環境原位探測GaN基功率器件工作溫度的傳感器，其特征在于：所述的與功率器件相集成的二極管采用肖特基二極管或采用PN結二極管。

3.根據權利要求1所述的一種高溫環境原位探測GaN基功率器件工作溫度的傳感器，其特征在于：所述的應力緩沖層厚度為10 nm~5 μm。

4.根據權利要求1所述的一種高溫環境原位探測GaN基功率器件工作溫度的傳感器，其特征在于：所述的GaN緩沖層（3）為非故意摻雜的GaN外延層或摻雜的高阻GaN外延層；GaN緩沖層厚度為100 nm~20 μm。

5.根據權利要求1所述的一種高溫環境原位探測GaN基功率器件工作溫度的傳感器，其特征在于：所述的GaN溝道層（4）為非故意摻雜的GaN外延層，GaN溝道層厚度為10 nm~5 μm。

6.根據權利要求1所述的一種高溫環境原位探測GaN基功率器件工作溫度的傳感器，其特征在于：所述的AlGaN勢壘層（5）與GaN溝道層（4）形成AlGaN/GaN異質結，AlGaN勢壘層厚度為5nm~100nm。