[實用新型]一種提高矩形平面磁控濺射陰極靶磁場均勻性裝置

有效

• 申請號: 201820897772.3
• 申請日: 2018-06-11
• 公開（公告）號: CN208545485U
• 公開（公告）日: 2019-02-26
• 發明（設計）人: 洪明;陳飛鵬;駱水連;劉強;魏廣;秦麗麗;李亞麗;夏成明
• 申請（專利權）人: 蘭州空間技術物理研究所
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/54
• 代理公司: 北京理工大學專利中心 11120
• 代理人: 張潔;仇蕾安

1.一種提高矩形平面磁控濺射陰極靶磁場均勻性裝置，其特征在于：所述裝置包括永磁體(1)、磁軛(2)、微調裝置(3)和支撐部件(4)；所述永磁體(1)固定在磁軛(2)上，支撐部件(4)與磁控濺射腔室壁固定，支撐部件(4)上開設有孔，微調裝置(3)穿過支撐部件(4)上的孔與磁軛(2)接觸。

2.如權利要求1所述的一種提高矩形平面磁控濺射陰極靶磁場均勻性裝置，其特征在于：所述微調裝置(3)為旋轉式微調裝置。

3.如權利要求1所述的一種提高矩形平面磁控濺射陰極靶磁場均勻性裝置，其特征在于：所述微調裝置包括上固定件(31)、上固定螺絲(32)、下固定螺絲(33)、下固定件(34)和旋轉微調部件(35)；上固定件(31)通過上固定螺絲(32)與磁軛(2)固定，下固定件(34)通過下固定螺絲(33)與支撐部件(4)固定，旋轉微調部件(35)穿過支撐部件(4)與磁軛接觸。

4.如權利要求1所述的一種提高矩形平面磁控濺射陰極靶磁場均勻性裝置，其特征在于：所述微調裝置(3)為多點式連接，均勻分布在磁軛(2)的中心和邊沿處。

5.如權利要求1所述的一種提高矩形平面磁控濺射陰極靶磁場均勻性裝置，其特征在于：所述微調裝置(3)平行于磁軛(2)矩形平面方向呈多排分布。