[實用新型]一種提高矩形平面磁控濺射陰極靶磁場均勻性裝置

有效

• 申請號: 201820897772.3
• 申請日: 2018-06-11
• 公開（公告）號: CN208545485U
• 公開（公告）日: 2019-02-26
• 發明（設計）人: 洪明;陳飛鵬;駱水連;劉強;魏廣;秦麗麗;李亞麗;夏成明
• 申請（專利權）人: 蘭州空間技術物理研究所
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/54
• 代理公司: 北京理工大學專利中心 11120
• 代理人: 張潔;仇蕾安

本實用新型屬于磁控濺射鍍膜設備領域，具體涉及一種提高矩形平面磁控濺射陰極靶磁場均勻性裝置，所述裝置包括永磁體、磁軛、微調裝置和支撐部件；所述永磁體固定在磁軛上，支撐部件固定在磁控濺射腔室內，支撐部件上開設有孔，微調裝置穿過支撐部件上的孔與磁軛接觸。本實用新型所述裝置克服了現有磁控濺射陰極靶磁場分布不均勻，不方便調節的問題；且結構簡單，易于安裝。

技術領域

本實用新型屬于磁控濺射鍍膜設備領域，具體涉及一種提高矩形平面磁控濺射陰極靶磁場均勻性裝置。

背景技術

從上世紀八十年代以來，采用磁控濺射物理氣象沉積技術制備功能薄膜已經發展為工業鍍膜生產中最主要的技術之一。為了提高靶材利用率，膜層沉積速率和放電過程穩定性，必須對濺射系統進行整體的優化設計，其中磁控濺射陰極靶的設計最為關鍵。增加磁場均勻性能夠增加靶面剝蝕的均勻性，提高靶材利用率，從而延長靶的壽命；同時，合理的磁場分布還能夠有效提高濺射過程的穩定性。對平面陰極靶來說，磁場由條形永磁體陣列產生，每條永磁體需要保證磁場強度、尺寸參數完全一致。由于目前加工技術的限制，實際應用中常會表現出磁場分布不均勻的問題，影響沉積薄膜的質量。為了改善磁場均勻性，現有的方法是在永磁體下方增加或減少墊片，改變永磁體位置，達到調節磁場均勻的目的。但是這種方法需要將陰極靶整體或局部拆開，操作復雜，效率低，而且通過增加或較少墊片的方式無法實現連續調節，難以調節到最佳位置。因此，設計一種能夠簡單、連續調節磁場強度的裝置具有重要的意義。

發明內容

為克服現有矩形平面磁控濺射陰極靶磁場不均勻的缺陷，本實用新型的目的在于提供一種提高矩形平面磁控濺射陰極靶磁場均勻性裝置。

為實現上述目的，本實用新型的技術方案如下。

一種提高矩形平面磁控濺射陰極靶磁場均勻性裝置，所述裝置包括永磁體、磁軛、微調裝置和支撐部件；所述永磁體固定在磁軛上，支撐部件與磁控濺射腔室壁固定，支撐部件上開設有孔，微調裝置穿過支撐部件上的孔與磁軛接觸。

進一步的，所述微調裝置為旋轉式微調裝置。

進一步的，所述微調裝置包括上固定件、上固定螺絲、下固定螺絲、下固定件和旋轉微調部件；上固定件通過上固定螺絲與磁軛固定，下固定件通過下固定螺絲與支撐部件固定，旋轉微調部件穿過支撐部件與磁軛接觸。

進一步的，所述微調裝置為多點式連接，均勻分布在磁軛的中心和邊沿處。

進一步的，所述微調裝置平行于磁軛矩形平面方向呈多排分布。

當支撐部件固定，調節微調裝置時，微調裝置帶動磁軛以及固定在磁軛上的磁鐵移動，實現局部磁場強度的調節；最終實現提高矩形平面磁控濺射陰極靶磁場均勻性的目的。

有益效果

本實用新型所述裝置克服了現有磁控濺射陰極靶磁場分布不均勻，不方便調節的問題；本實用新型所述裝置結構簡單，易于安裝。

附圖說明

圖1是本實用新型所述裝置結構主視圖；

圖2是本實用新型所述裝置結構左視圖；

圖3為本實施實例中微調裝置結構示意圖。

1-永磁體，2-磁軛，3-微調裝置，4-支撐部件，31-上板固定件，32-上板固定螺絲，33-下板固定螺絲，34-下板固定件，35-旋轉微調部件。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型進行詳細說明。