[實用新型]等離子體注入機設備

有效

• 申請號: 201820880701.2
• 申請日: 2018-06-07
• 公開（公告）號: CN208690202U
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發明（設計）人: 劉鐵
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317;H01L21/67;H01L21/265
• 代理公司: 上海市錦天城律師事務所 31273
• 代理人: 何金花

本實用新型提供一種等離子體注入機設備，該設備包括：預抽真空室、傳送室和處理室，所述預抽真空室包括預抽真空室一；所述傳送室設置于所述預抽真空室一的一側，所述預抽真空室一與所述傳送室間設有隔離閥一；所述處理室設置于所述傳送室相對于所述預抽真空室一的另一側，所述處理室包含處理室一；所述傳送室與所述處理室一間設有隔離閥二；所述等離子體注入機設備還包括加氣裝置，至少連接于所述傳送室和所述預抽真空室的任一者。本實用新型通過對設備的改進，節省了工藝時間，可以提高機臺產能約30％。

技術領域

本實用新型涉及半導體集成電路領域，具體為一種等離子體注入機設備。

背景技術

在電子工業中，離子注入成為了微電子工藝中的一種重要的摻雜技術，也是控制MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)閾值電壓的一個重要手段。因此在當代制造大規模集成電路中，可以說是一種必不可少的手段。離子注入的優點是能精確控制雜質的總劑量、深度分布和面均勻性，而且是低溫工藝(可防止原來雜質的再擴散等)，同時可實現自對準技術(以減小電容效應)。

等離子體離子注入機主要用來進行低能量高劑量的離子注入，主要應用在DRAM(動態隨機存取存儲器)產品制造工藝中。與其它離子束注入機相比，等離子體注入機的工藝時間較長，機臺產能偏低，造成生產成本增加，生產周期延長。

中國專利(申請公布號：CN103137447A)公開了一種離子注入機，包括電源系統、反應腔室、預抽腔室、真空控制系統、送片系統及送氣系統。所述真空控制系統分別與所述反應腔室、所述預抽腔室連接；所述反應腔室與所述預抽腔室連接；所述送片系統用于將硅片從所述預抽腔室運輸至所述反應腔室，并將硅片運輸至所述反應腔室內的離子反應位置；所述送氣系統用于向所述反應腔室通入反應與吹掃氣體。本發明舍棄了原有離子注入機的注入方式，去除了質量分析、離子束聚焦與掃描系統等復雜的結構，提供了一種結構簡單可用于大面積注入的離子注入機。

中國專利(授權公告號：CN104106124B)公開了一種具有等離子體電源(AP)和襯底電源(PS)的離子注入機的控制方法，該襯底電源包括：發電機(HT)、在所述發電機和該襯底電源的輸出端子之間連接的第一斷路器(SW1)、在所述輸出端子和一個中性端子之間連接的第二斷路器(SW2)，所述方法包括注入階段(A-D)和中和階段(E-H)。該方法還包括與所述注入階段和所述中和階段部分重疊的釋放階段 (C-F)，在該釋放階段期間所述等離子體電源為去激勵狀態。另外，所述中和階段包括用于關閉第二斷路器的預備步驟(E-F)，該預備步驟后跟有用于激勵等離子體電源(AP)的消除步驟(F-G)。

但是上述公開的專利都不能解決現有技術中等離子體離子注入機工藝流程過長，機臺產能過低的問題。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是提供一種等離子體注入機設備，通過設備改進和優化，解決現有技術存在的問題。為實現上述技術目的，本實用新型采取的具體的技術方案為：一種等離子體注入機設備，包括：預抽真空室，所述預抽真空室包括預抽真空室一；傳送室，設置于所述預抽真空室一的一側，所述預抽真空室一與所述傳送室間設有隔離閥一；處理室，設置于所述傳送室相對于所述預抽真空室一的另一側，所述處理室包含處理室一；所述傳送室與所述處理室一間設有隔離閥二；以及加氣裝置，所述加氣裝置至少連接于所述傳送室和所述預抽真空室的任一者。

作為本實用新型改進的技術方案，所述預抽真空室還包括預抽真空室二，所述預抽真空室二設置于所述傳送室相同于所述預抽真空室一的同一側。

作為本實用新型改進的技術方案，所述預抽真空室二與所述傳送室間還設有隔離閥三。

作為本實用新型改進的技術方案，所述處理室還包括處理室二，所述處理室二與所述處理室一并列設置在所述傳送室的同一側。

作為本實用新型改進的技術方案，所述處理室二與所述傳送室間設有隔離閥四。