[實(shí)用新型]一種激光割圓用的硅片支架有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201820878300.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-06-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN208304184U | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-01-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李有康;徐偉;項(xiàng)衛(wèi)光;李曉明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江正邦電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | B23K26/70 | 分類號(hào): | B23K26/70;B23K26/38 |
| 代理公司: | 浙江杭州金通專利事務(wù)所有限公司 33100 | 代理人: | 柯利進(jìn) |
| 地址: | 321400 浙江*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 支撐桿 底座 吸盤 硅片支架 吸盤頂面 中心孔 硅片 割圓 激光 相通 本實(shí)用新型 支撐桿頂端 底座通孔 同心環(huán)槽 吸盤中心 真空孔 大圓 環(huán)槽 通孔 吸附 貫通 芯片 支撐 加工 | ||
本實(shí)用新型涉及一種激光割圓用的硅片支架,包括一個(gè)底座,和該底座上面分別立接的若干支撐桿,以及每個(gè)支撐桿頂端連接的一個(gè)吸盤;所述吸盤頂面均處在同一平面上;每個(gè)吸盤頂面均設(shè)有若干同心環(huán)槽,各環(huán)槽設(shè)有缺口相互貫通;每個(gè)吸盤中心通孔與所接支撐桿中心孔相通,并且支撐桿中心孔與底座上相接的底座通孔相通。它通過(guò)真空孔腔吸附放置在吸盤上面加工的硅片,使大圓硅片和每個(gè)割下來(lái)的芯片有良好的支撐,并且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,使用方便。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種激光切割設(shè)備技術(shù),特別是一種激光割圓用的硅片支架。其通過(guò)真空腔將激光切割前的大圓硅片和切割后的各個(gè)芯片吸在支架上。
背景技術(shù)
隨著電力半導(dǎo)體器件加工技術(shù)的提升,芯片制造在擴(kuò)散、氧化、光刻等過(guò)程采用集成加工方式,以提高生產(chǎn)效率,即在大直徑硅片上同時(shí)設(shè)計(jì)加工二個(gè)及以上的芯片,待集成加工完成后再進(jìn)行分割。傳統(tǒng)分割是采用機(jī)械磨削方式進(jìn)行,首先是將大圓硅片粘在玻璃片上,然后用旋轉(zhuǎn)的割園刀加金剛砂磨料,將大圓硅片上集成加工完成后的若干芯片一一切割下來(lái),此工藝設(shè)備簡(jiǎn)單,但效率低,還需要操作技能。現(xiàn)在,新型切割加工工藝引進(jìn)激光切割機(jī),激光頭沿設(shè)計(jì)好的軌跡行走,即可以將預(yù)定的芯片切割下來(lái),速度快效率高,操作簡(jiǎn)便,設(shè)計(jì)好程序后可以自動(dòng)運(yùn)行。但此工藝需要將硅片凌空支撐在激光切割機(jī)的工作臺(tái)上,使待加工硅片下面相對(duì)于激光頭行走軌跡的部分要空的。因此,原來(lái)將硅片粘在玻璃上的支撐方式難以滿足加工要求,迫切需要有一種新設(shè)計(jì)的特殊支撐工具。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型主要為了解決目前激光割圓時(shí)硅片支撐存在的問(wèn)題,新提供一激光割圓用的硅片支架,其可使大圓硅片和每個(gè)割下來(lái)的芯片有良好的支撐,并且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,使用方便。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案為:一種激光割圓用的硅片支架,包括一個(gè)底座,和該底座上面分別立接的若干支撐桿,以及每個(gè)支撐桿頂端連接的一個(gè)吸盤;所述吸盤頂面均處在同一平面上;每個(gè)吸盤頂面均設(shè)有若干同心環(huán)槽,各環(huán)槽設(shè)有缺口相互貫通;每個(gè)吸盤中心通孔與所接支撐桿中心孔相通,并且支撐桿中心孔與底座上相接的底座通孔相通。
進(jìn)一步,所述底座下端為凸柱。這樣,使用本實(shí)用新型時(shí)更方便。
本實(shí)用新型的有益技術(shù)效果是:通過(guò)將底座上的通孔、吸盤和支撐桿的中心孔接于外部真空泵連,使放置在吸盤上面加工的硅片被真空孔腔吸附,這樣使得大圓硅片和每個(gè)割下來(lái)的芯片有良好的支撐,并且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,使用方便。
附圖說(shuō)明
圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為圖1俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為一個(gè)大圓硅片中設(shè)計(jì)的四個(gè)芯片排布圖形。
圖4為一個(gè)大圓硅片中設(shè)計(jì)的七個(gè)芯片排布圖形。
圖5為本實(shí)用新型使用狀態(tài)示意圖。
具體實(shí)施方式
附圖說(shuō)明:底座1、底座通孔10、凸柱11、支撐桿2、支撐桿中心孔20、吸盤3、吸盤中心通孔30、環(huán)槽31、工作臺(tái)4、激光頭5、真空泵接管6、大直徑硅片7、芯片(8、9)。
如圖1-圖5所示,一種激光割圓用的硅片支架,包括一個(gè)底座1,和該底座1上面分別立接的若干支撐桿2,以及每個(gè)支撐桿2頂端連接的一個(gè)吸盤3;所述吸盤3頂面均處在同一平面上;每個(gè)吸盤3頂面均設(shè)有若干同心環(huán)槽31,各環(huán)槽31設(shè)有缺口相互貫通;每個(gè)吸盤中心通孔30與所接支撐桿中心孔20相通,并且支撐桿中心孔20與底座1上相接的底座通孔10相通。
在本實(shí)用新型中,所述底座1下端設(shè)為凸柱11。這樣,使用本實(shí)用新型時(shí),就可以方便地將底座1下端的凸柱11插接在激光切割機(jī)的工作臺(tái)上。
本實(shí)用新型中的每個(gè)吸盤頂面與待切割大圓硅片上設(shè)定分布的芯片相應(yīng);所述支撐桿數(shù)量,以及所述吸盤外徑和分布位置,均與待切割大圓硅片上設(shè)定分布的芯片相應(yīng)。
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B23K26-00 用激光束加工,例如焊接,切割,打孔
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B23K26-08 .激光束與工件具有相對(duì)運(yùn)動(dòng)的裝置
B23K26-12 .在一特殊氣氛中,例如在罩中
B23K26-14 .利用流體,如氣體的射流,與激光束相結(jié)合
B23K26-16 .排除副產(chǎn)物,例如對(duì)工件處理時(shí)產(chǎn)生的微粒或蒸氣





