[實(shí)用新型]一種連續(xù)式快速降溫退火爐有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201820877573.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-06-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN208240629U | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-12-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐偉;項(xiàng)衛(wèi)光;李有康;李曉明 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 浙江正邦電子股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/67 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/67;C23C14/58 |
| 代理公司: | 浙江杭州金通專(zhuān)利事務(wù)所有限公司 33100 | 代理人: | 柯利進(jìn) |
| 地址: | 321400 浙江*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 爐管 爐管內(nèi)腔 恒溫區(qū) 冷卻區(qū) 快速降溫 緩冷區(qū) 本實(shí)用新型 出口區(qū) 活動(dòng)門(mén) 連續(xù)式 退火爐 外部環(huán) 預(yù)熱區(qū) 隔熱活動(dòng)門(mén) 溫度傳感器 左右兩端部 加熱裝置 冷卻裝置 爐管出口 爐管進(jìn)口 生產(chǎn)效率 進(jìn)氣管 排氣閥 排氣管 左端 進(jìn)口 出口 | ||
本實(shí)用新型涉及本實(shí)用新型所述一種連續(xù)式快速降溫退火爐,包括設(shè)在機(jī)架上的爐管,該爐管左右兩端分別設(shè)有進(jìn)口活動(dòng)門(mén)和出口活動(dòng)門(mén),其特征是:所述爐管其左邊段中的外部環(huán)設(shè)有加熱裝置,該段爐管內(nèi)腔相應(yīng)為恒溫區(qū);爐管右邊段中的外部環(huán)設(shè)有冷卻裝置,該段爐管內(nèi)腔相應(yīng)為冷卻區(qū),并且恒溫區(qū)與冷卻區(qū)之間的爐管內(nèi)腔相應(yīng)為緩冷區(qū),該緩冷區(qū)中設(shè)有隔熱活動(dòng)門(mén);所述爐管進(jìn)口至恒溫區(qū)左端之間的爐管內(nèi)腔相應(yīng)為預(yù)熱區(qū),冷卻區(qū)右端至爐管出口之間的爐管內(nèi)腔相應(yīng)為出口區(qū);所述預(yù)熱區(qū)、緩冷區(qū)和出口區(qū)的爐管上分別設(shè)有進(jìn)氣管;所述爐管左右兩端部上分別設(shè)有排氣管及排氣閥,所述爐管的恒溫區(qū)和冷卻區(qū)中分別設(shè)有溫度傳感器。它具有快速降溫,生產(chǎn)效率高等優(yōu)點(diǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種合金退火爐設(shè)備,特別是一種連續(xù)式快速降溫退火爐,主要用于壓接式電力半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中的陰極電極的合金退火,也可用于鉬片的鍍鎳合金退火等。
背景技術(shù)
電力半導(dǎo)體器件大多是硅基,以半導(dǎo)體硅作為基本材料,通過(guò)擴(kuò)散、氧化、光刻等工藝在特定區(qū)域摻雜,形成一定功率的電力半導(dǎo)體器件,由于硅本身不具備可焊性,器件的電極引出是關(guān)鍵工藝。壓接式電力半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)過(guò)程中,陰極電極的引出是通過(guò)在硅片上蒸發(fā)一層鋁金屬,再通過(guò)高溫在硅鋁界面形成硅鋁合金,從而達(dá)到良好的歐姆接觸順利通過(guò)較大電流的目的。由于合金過(guò)程中,芯片需要在形成硅鋁合金的高溫中保持一定的時(shí)間,隨后降溫冷卻。但是如果在冷卻溫度從700度到200度間保持過(guò)長(zhǎng)時(shí)間會(huì)影響部分特殊的電力半導(dǎo)體器件的電參數(shù)性能,使之性能劣化,嚴(yán)重的致使器件失效,為將這種不良影響降低到最低限度,需要通過(guò)技術(shù)手段實(shí)現(xiàn)快速降溫,迅速度過(guò)某個(gè)高溫的降溫區(qū)段,縮短芯片在某段溫度的時(shí)間。
傳統(tǒng)的合金退火工藝為了避免芯片硅鋁合金過(guò)程產(chǎn)生不良的氧化反應(yīng),一般情況下采用高真空狀態(tài)退火,原生產(chǎn)過(guò)程的退火爐均采用機(jī)械真空泵加擴(kuò)散泵來(lái)保持工作腔的高真空狀態(tài)。采用真空高溫退火,每次都要按以下步驟逐步進(jìn)行:先放氣-取件-裝件—抽真空—加溫—降溫,如此循環(huán),且降溫時(shí)間長(zhǎng),不能連續(xù)工作,生產(chǎn)效率低。上述退火爐采用在真空狀態(tài)中退火,給合金快速降溫帶來(lái)十分不利的影響,真空狀態(tài)很難達(dá)到快速降溫的效果,基本是無(wú)法在700-200度區(qū)間實(shí)現(xiàn)每分鐘下降二十度的技術(shù)要求。因此,使用傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的合金退火爐生產(chǎn),還存在著難以快速降溫和生產(chǎn)效率低等問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型主要為了解決上述傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)退火爐存在不能夠?qū)π酒桎X合金快速降溫和生產(chǎn)效率低的技術(shù)問(wèn)題,提供一種連續(xù)式快速降溫退火爐,使生產(chǎn)時(shí)對(duì)芯片硅鋁合金能夠快速降溫,并且生產(chǎn)效率高。
本實(shí)用新型所述一種連續(xù)式快速降溫退火爐,包括設(shè)在機(jī)架上的爐管,該爐管左右兩端分別設(shè)有進(jìn)口活動(dòng)門(mén)和出口活動(dòng)門(mén),其特征是:所述爐管其左邊段中的外部環(huán)設(shè)有加熱裝置,該段爐管內(nèi)腔相應(yīng)為恒溫區(qū);爐管右邊段中的外部環(huán)設(shè)有冷卻裝置,該段爐管內(nèi)腔相應(yīng)為冷卻區(qū),并且恒溫區(qū)與冷卻區(qū)之間的爐管內(nèi)腔相應(yīng)為緩冷區(qū),該緩冷區(qū)中設(shè)有隔熱活動(dòng)門(mén);所述爐管進(jìn)口至恒溫區(qū)左端之間的爐管內(nèi)腔相應(yīng)為預(yù)熱區(qū),冷卻區(qū)右端至爐管出口之間的爐管內(nèi)腔相應(yīng)為出口區(qū);所述預(yù)熱區(qū)、緩冷區(qū)和出口區(qū)的爐管上分別設(shè)有進(jìn)氣管;所述爐管左右兩端部上分別設(shè)有排氣管及排氣閥,所述爐管的恒溫區(qū)和冷卻區(qū)中分別設(shè)有溫度傳感器。
進(jìn)一步,所述冷卻裝置由環(huán)設(shè)于爐管外部的冷卻水箱,以及進(jìn)水口、出水口和水閥門(mén)組成。
進(jìn)一步,所述加熱裝置由環(huán)設(shè)于爐管外部的保溫殼體、電熱管和兩電極端子組成。
進(jìn)一步,所述預(yù)熱區(qū)、緩冷區(qū)和出口區(qū)爐管上的各進(jìn)氣管均設(shè)有進(jìn)氣閥門(mén)和進(jìn)氣流量計(jì)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





