[實(shí)用新型]半導(dǎo)體集成電路的電容裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820876700.0
• 申請日: 2018-06-07
• 公開（公告）號: CN208521929U
• 公開（公告）日: 2019-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L27/108
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 羅泳文

1.一種半導(dǎo)體集成電路的電容裝置，其特征在于，包括：

基底，所述基底具有多個(gè)電容觸點(diǎn)；

雙面電容器，包括：連接于所述電容觸點(diǎn)的第一導(dǎo)電層，覆蓋于所述第一導(dǎo)電層的內(nèi)表面及外表面的電容介質(zhì)層，以及覆蓋于所述電容介質(zhì)層外表面的第二導(dǎo)電層；

第一支撐層，連接于所述第一導(dǎo)電層的下部側(cè)壁，位于所述基底之上并與所述基底具有第一間距，所述第一支撐層具有第一開口；

第二支撐層，連接于所述第一導(dǎo)電層的中部側(cè)壁，位于所述第一支撐層之上并與所述第一支撐層具有第二間距，所述第二支撐層具有第二開口；以及

第三支撐層，連接于所述第一導(dǎo)電層的頂部側(cè)壁，位于所述第二支撐層之上并與所述第二支撐層具有第三間距，所述第三支撐層具有第三開口，其中，所述第三支撐層的厚度不小于穩(wěn)定支撐所述雙面電容器所需的最小厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容裝置，其特征在于：所述穩(wěn)定支撐所述雙面電容器所需的所述第三支撐層的最小厚度大于等于所述第一支撐層和所述第二支撐層任一層的厚度二分之一。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容裝置，其特征在于：所述第一支撐層的厚度范圍介于10nm～100nm之間，所述第二支撐層的厚度范圍介于10nm～100nm之間，所述第三支撐層的厚度介于10nm～50nm之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容裝置，其特征在于：所述第一間距小于所述第二間距，且所述第一間距小于所述第三間距。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電容裝置，其特征在于：所述第一間距的范圍100nm～400nm之間，所述第二間距的范圍介于100nm～800nm之間，所述第三間距的范圍介于100nm～800nm之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容裝置，其特征在于：所述基底表面還覆蓋有刻蝕停止層，所述刻蝕停止層的厚度范圍介于10nm～60nm之間，所述刻蝕停止層的材質(zhì)包括氮化硅，所述基底還具有位于所述多個(gè)電容觸點(diǎn)的外圍的周邊電路區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容裝置，其特征在于：所述第一支撐層、所述第二支撐層及所述第三支撐層的材質(zhì)包含氮化硅，所述第一導(dǎo)電層的材質(zhì)包括金屬氮化物及金屬硅化物中的一種；所述電容介質(zhì)層的材質(zhì)包括氧化鋯、氧化鉿、氧化鈦鋯、氧化釕、氧化銻、氧化鋁所組成群組中的一種；所述第二導(dǎo)電層的材質(zhì)包括氮化物及金屬硅化物中的一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7任一項(xiàng)所述的電容裝置，其特征在于：所述電容裝置還包括頂部支撐輔助層，所述頂部支撐輔助層疊置于所述第三支撐層的上表面，以提高所述第三支撐層的支撐能力。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電容裝置，其特征在于：所述頂部輔助支撐層的材質(zhì)與所述第三支撐層的材質(zhì)相同，以提高所述頂部輔助支撐層與所述第三支撐層的結(jié)合強(qiáng)度，并降低所述頂部輔助支撐層的應(yīng)力。