[實用新型]晶舟及爐管裝置

有效

• 申請號: 201820867205.3
• 申請日: 2018-06-05
• 公開（公告）號: CN208315519U
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發明（設計）人: 邢國兵;方桂芹;黃仁德
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;H01L21/67
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;陳麗麗

本實用新型涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種晶舟及爐管裝置。所述晶舟，包括頂板、底板以及位于所述頂板與所述底板之間的若干支柱，所述支柱中設置有用于支撐晶圓的晶圓槽；所述晶圓槽的槽壁設置有沿自所述底板指向所述頂板方向突出的凸起部，所述凸起部用于與所述晶圓接觸并支撐所述晶圓，以減少所述晶圓與所述晶圓槽的接觸面積。本實用新型改善了晶圓表面沉積的膜層厚度不均勻的問題，提高了晶圓產品的質量。

技術領域

本實用新型涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種晶舟及爐管裝置。

背景技術

隨著智能手機、平板電腦等移動終端向小型化、智能化、節能化的方向發展，芯片的高性能、集成化趨勢明顯，促使芯片制造企業積極采用先進工藝，對制造出更快、更省電的芯片的追求愈演愈烈。尤其是許多無線通訊設備的主要元件需用40nm以下先進半導體技術和工藝，因此對先進工藝產能的需求較之以往顯著上升，帶動集成電路廠商不斷提升工藝技術水平，通過縮小晶圓水平和垂直方向上的特征尺寸以提高芯片性能和可靠性，以及通過3D結構改造等非幾何工藝技術和新材料的運用來影響晶圓的電性能等方式，實現硅集成的提高，以迎合市場需求。然而，這些技術的革新或改進都是以晶圓的生成、制造為基礎。

晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。在硅晶片上可加工、制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能的集成電路產品。

在半導體的制造工藝中，為了設置分立器件和集成電路，需要在晶圓表面沉積不同的膜層。而在各種沉積薄膜的方法中，低壓化學氣相沉積(Low Pressure ChemicalVapor Deposition，LPCVD)是一種常用的方法，已經被廣泛的應用到各種薄膜的沉積工藝中。而爐管則是LPCVD工藝中的主流設備。

爐管中具有用于承載晶舟的晶圓。但是，現有的晶舟用于承載晶圓的溝槽面為平面。當晶圓裝載至所述晶舟后，所述晶圓與所述晶舟溝槽的接觸區域形成死角，導致氣體在這些接觸區域無法流通，從而影響晶圓表面的溫度分布，最終影響晶圓表面的膜層厚度均勻性，導致晶圓產品的質量下降。

因此，如何改善晶圓表面膜層厚度的均勻性，以提高晶圓產品的質量，是目前亟待解決的技術問題。

實用新型內容

本實用新型提供一種晶舟及爐管裝置，用以解決現有技術中在爐管裝置內于晶圓表面沉積薄膜時易出現膜層厚度不均的問題，以提高晶圓產品的質量。

為了解決上述問題，本實用新型提供了一種晶舟，包括頂板、底板以及位于所述頂板與所述底板之間的若干支柱，所述支柱中設置有用于支撐晶圓的晶圓槽；所述晶圓槽的槽壁設置有沿自所述底板指向所述頂板方向突出的凸起部，所述凸起部用于與所述晶圓接觸并支撐所述晶圓，以減少所述晶圓與所述晶圓槽的接觸面積。

優選的，所述凸起部與所述晶圓接觸的表面為曲面。

優選的，所述凸起部為半圓弧狀結構，所述晶圓與所述半圓弧狀結構的頂點接觸。

優選的，所述凸起部包括相對設置的第一表面和第二表面；所述第一表面與所述凹槽的槽壁連接，所述第二表面與所述晶圓接觸，且所述第一表面的寬度大于所述第二表面的寬度。

優選的，所述凸起部包括相對設置的第一表面和第二表面；所述第一表面與所述凹槽的槽壁連接，所述第二表面與所述晶圓接觸，且所述第一表面的寬度等于所述第二表面的寬度。

優選的，所述凸起部包括多個子凸起，多個所述子凸起相互之間具有一預設距離的間隔，且多個所述子凸起共同支撐所述晶圓。

優選的，所述支柱的數量為三根或四根。

優選的，所述凸起部的高度為0.5mm～4mm。

為了解決上述問題，本實用新型還提供了一種爐管裝置，包括一腔室；所述腔室內具有如上述任一項所述的晶舟。