[實(shí)用新型]晶舟及爐管裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201820867205.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-06-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN208315519U | 公開(公告)日: | 2019-01-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 邢國兵;方桂芹;黃仁德 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 德淮半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/673 | 分類號(hào): | H01L21/673;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孫佳胤;陳麗麗 |
| 地址: | 223300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶圓 底板 晶圓槽 本實(shí)用新型 爐管裝置 凸起部 晶舟 半導(dǎo)體制造技術(shù) 頂板方向 晶圓表面 晶圓產(chǎn)品 不均勻 槽壁 膜層 支撐 種晶 沉積 指向 | ||
1.一種晶舟,包括頂板、底板以及位于所述頂板與所述底板之間的若干支柱,其特征在于,所述支柱中設(shè)置有用于支撐晶圓的晶圓槽;所述晶圓槽的槽壁設(shè)置有沿自所述底板指向所述頂板方向突出的凸起部,所述凸起部用于與所述晶圓接觸并支撐所述晶圓,以減少所述晶圓與所述晶圓槽的接觸面積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶舟,其特征在于,所述凸起部與所述晶圓接觸的表面為曲面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶舟,其特征在于,所述凸起部為半圓弧狀結(jié)構(gòu),所述晶圓與所述半圓弧狀結(jié)構(gòu)的頂點(diǎn)接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶舟,其特征在于,所述凸起部包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面;所述第一表面與所述晶圓槽的槽壁連接,所述第二表面與所述晶圓接觸,且所述第一表面的寬度大于所述第二表面的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶舟,其特征在于,所述凸起部包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面;所述第一表面與所述晶圓槽的槽壁連接,所述第二表面與所述晶圓接觸,且所述第一表面的寬度等于所述第二表面的寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶舟,其特征在于,所述凸起部包括多個(gè)子凸起,多個(gè)所述子凸起相互之間具有一預(yù)設(shè)距離的間隔,且多個(gè)所述子凸起共同支撐所述晶圓。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶舟,其特征在于,所述支柱的數(shù)量為三根或四根。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶舟,其特征在于,所述凸起部的高度為0.5mm~4mm。
9.一種爐管裝置,其特征在于,包括一腔室;所述腔室內(nèi)具有如權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的晶舟。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





