[實用新型]一種半導體擴散爐用冷卻排液管有效
| 申請號: | 201820847051.1 | 申請日: | 2018-06-02 |
| 公開(公告)號: | CN208173566U | 公開(公告)日: | 2018-11-30 |
| 發明(設計)人: | 張志強;喻勇全;魏關成;賀志軍;姚旭 | 申請(專利權)人: | 上海廣奕電子科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
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| 地址: | 201204 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體擴散爐 排液管 冷卻 密封圈 冷卻水出水管 冷卻水進水管 本實用新型 不銹鋼外管 壓力傳感器 廢液出口 廢液入口 設備主體 石英內管 加裝 靈活 加工 | ||
本實用新型涉及一種半導體擴散爐用冷卻排液管,包括有不銹鋼外管1、石英內管2、階梯3、冷卻水進水管4、冷卻水出水管5、廢液出口6、密封圈7、廢液入口8;該裝置可以在設備主體加裝,方便靈活,高度隨意調整,價格低廉,加工簡單,可以極大的方便從而延長了壓力傳感器的壽命。
技術領域
本發明屬于制造技術領域,適用于一種半導體擴散爐用冷卻排液管。
背景技術
傳統方式的排液管主要是高溫導致后部排液管變形、堵塞,要定期對排液管進行清理甚至更換,然而這種辦法不僅成本較高而且浪費人工,不容易日常管控。本實用新型專利主要針對該問題,設計更合理的排液方式來冷卻廢液從而解決該問題。
發明內容
有鑒于此,本發明要解決的技術問題是:旨在提供一種結構簡單,而且節約成本的冷卻排液裝置。為了達到此目的,本實用新型專利采用了以下技術方案:包括有不銹鋼外管1、石英內管2、階梯3、冷卻水進水管4、冷卻水出水管5、廢液出口6、密封圈7、廢液入口8,其中不銹鋼外管1在石英內管2的外部,包圍著石英內管2,并由上下左右四個密封圈7所密封,并且各由一個螺栓所固定;石英內管2里面有階梯3;冷卻水進水管4在不銹鋼外管1的右上方;冷卻水出水管5在不銹鋼外管1的左下方;廢液出口6在石英內管2的正下部;廢液出口8在石英內管2的正上部;石英內管1的廢液入口8與擴散爐管的廢液出口連通,廢液出口6與工廠廢液管道連通,冷卻水進水管4與工廠冷卻水進水管連通,冷卻水出水管5與工廠冷卻水出水管連通;高溫氧化擴散爐內的高溫廢液直接從廢液入口8流入冷卻廢液排液管,經過冷卻后經廢液出口6直接排入工廠廢液回收系統;高溫氧化是擴散工藝中一項重要的工序,高溫氧化擴散爐機臺工藝結束后經常會產生廢鹽酸或者偏磷酸等廢液,由于廢液排出后處于高溫狀態且具有腐蝕性,所以時間一長極易造成排液管變形泄露。目前主要的排液方式主要是石英管直排式(無冷卻),極易造成后部排液管高溫變形或者損壞。
排廢管,其主要結構包括外部冷卻裝置,所述外部冷卻裝置由不銹鋼材料制成,設有冷卻水進出水接口,上下各有一個環型端蓋并使用膠圈與內部石英管進行密封。
內部石英管,內部石英管內部使用階梯式結構,使廢液能夠在有限的石英管道內部充分的冷卻。
本實用新型主要采用了新的結構方式,使廢液能夠充分的進行冷卻。解決了現有直接排液導致后部排液管高溫變形堵塞甚至泄露的問題。
加裝了不銹鋼外管,通入工業冷卻水后能夠快速的對廢液進行冷卻。
對石英排液管加裝了階梯式結構,使廢液排出時充分與外部冷卻水進行冷熱交換。
本實用新型從結構上改變解決了目前廢液管路高溫導致變形甚至堵塞泄露的根本問題。很大的節省了公司人工和備件成本。
請參考圖1,圖1是本實用新型提供的排液管的結構示意圖。如圖1所示,石英內管1的廢液入口8與擴散爐管的廢液出口連通,廢液出口6與工廠廢液管道連通,冷卻水進水管4與工廠冷卻水進水管連通,冷卻水出水管5與工廠冷卻水出水管連通。實施過程中高溫氧化擴散爐內的高溫廢液直接從廢液入口8流入冷卻廢液排液管,經過冷卻后經廢液出口6直接排入工廠廢液回收系統;
附圖說明
圖1是本實用新型的結構示意圖;
圖中,1、不銹鋼外管;2、石英內管;3、階梯;4、冷卻水進水管5、冷卻水出水管6、廢液出口7、密封圈8、廢液入口。
具體實施方式
為了使本發明所要解決的技術問題、技術方案及有益效果更加清楚明白,以下結合附圖及實施例,對本發明進行詳細的說明。應當說明的是,此處所描述的具體實施例僅用以解釋本發明,并不用于限定本發明,能實現同樣功能的產品屬于等同替換和改進,均包含在本發明的保護范圍之內。具體方法如下:
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





