[實(shí)用新型]一種溝槽式MOS勢(shì)壘肖特基二極管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201820842476.3
• 申請(qǐng)日: 2018-06-01
• 公開（公告）號(hào): CN208352298U
• 公開（公告）日: 2019-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 關(guān)仕漢;薛濤;遲曉麗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 淄博漢林半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/872
• 分類號(hào): H01L29/872;H01L29/06
• 代理公司: 淄博佳和專利代理事務(wù)所 37223
• 代理人: 孫愛華

1.一種溝槽式MOS勢(shì)壘肖特基二極管，包括溝槽式MOS勢(shì)壘肖特基芯片以及自芯片上通過引線（15）分別引出的陰極和陽(yáng)極，溝槽式MOS勢(shì)壘肖特基芯片包括襯底（6）以及襯底（6）上方的外延層（4），在外延層（4）的表面設(shè)置有有源區(qū)溝槽（5）和位于有源區(qū)外圈的耐壓環(huán)溝槽（3），在外延層（4）的表面形成有與引線（15）連接的陽(yáng)極金屬層（1），在襯底（6）的底面形成與引線（15）連接的陰極金屬層（8），其特征在于：芯片切割位置（12）在所述耐壓環(huán)溝槽（3）的中部，自芯片切割位置（12）切割形成切割面（10），在切割面（10）及切割面（10）的上下邊緣處覆蓋有鈍化層（16）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽式MOS勢(shì)壘肖特基二極管，其特征在于：在所述的耐壓環(huán)溝槽（3）的內(nèi)壁上設(shè)置有溝槽內(nèi)氧化層（2）并填充多晶硅（9）。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽式MOS勢(shì)壘肖特基二極管，其特征在于：在所述的有源區(qū)溝槽（5）的內(nèi)壁上設(shè)置有溝槽內(nèi)氧化層（2）并填充有多晶硅（9）。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽式MOS勢(shì)壘肖特基二極管，其特征在于：在所述陽(yáng)極金屬層（1）和陰極金屬層（8）的表面分別通過焊錫層（13）焊接所述的引線（15）。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽式MOS勢(shì)壘肖特基二極管，其特征在于：在所述陽(yáng)極金屬層（1）和陰極金屬層（8）的表面外側(cè)同樣覆蓋有鈍化層（16）。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的溝槽式MOS勢(shì)壘肖特基二極管，其特征在于：所述的焊錫層（13）位于鈍化層（16）的內(nèi)側(cè)。