[實用新型]一種溝槽式MOS勢壘肖特基二極管有效
| 申請號： | 201820842476.3 | 申請日： | 2018-06-01 |
| 公開（公告）號： | CN208352298U | 公開（公告）日： | 2019-01-08 |
| 發明（設計）人： | 關仕漢;薛濤;遲曉麗 | 申請（專利權）人： | 淄博漢林半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 淄博佳和專利代理事務所 37223 | 代理人： | 孫愛華 |
| 地址： | 255086 山東省淄博市高*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝槽式MOS 耐壓 勢壘 肖特基二極管 芯片切割 芯片 切割面 外延層 切割 半導體技術領域 陰極 陽極 表面設置 耐壓性能 上下邊緣 彎曲弧度 鈍化層 肖特基 襯底 光刻 源區 生產成本 覆蓋 制造 | ||
1.一種溝槽式MOS勢壘肖特基二極管，包括溝槽式MOS勢壘肖特基芯片以及自芯片上通過引線（15）分別引出的陰極和陽極，溝槽式MOS勢壘肖特基芯片包括襯底（6）以及襯底（6）上方的外延層（4），在外延層（4）的表面設置有有源區溝槽（5）和位于有源區外圈的耐壓環溝槽（3），在外延層（4）的表面形成有與引線（15）連接的陽極金屬層（1），在襯底（6）的底面形成與引線（15）連接的陰極金屬層（8），其特征在于：芯片切割位置（12）在所述耐壓環溝槽（3）的中部，自芯片切割位置（12）切割形成切割面（10），在切割面（10）及切割面（10）的上下邊緣處覆蓋有鈍化層（16）。
2.根據權利要求1所述的溝槽式MOS勢壘肖特基二極管，其特征在于：在所述的耐壓環溝槽（3）的內壁上設置有溝槽內氧化層（2）并填充多晶硅（9）。
3.根據權利要求1所述的溝槽式MOS勢壘肖特基二極管，其特征在于：在所述的有源區溝槽（5）的內壁上設置有溝槽內氧化層（2）并填充有多晶硅（9）。
4.根據權利要求1所述的溝槽式MOS勢壘肖特基二極管，其特征在于：在所述陽極金屬層（1）和陰極金屬層（8）的表面分別通過焊錫層（13）焊接所述的引線（15）。
5.根據權利要求1所述的溝槽式MOS勢壘肖特基二極管，其特征在于：在所述陽極金屬層（1）和陰極金屬層（8）的表面外側同樣覆蓋有鈍化層（16）。
6.根據權利要求4所述的溝槽式MOS勢壘肖特基二極管，其特征在于：所述的焊錫層（13）位于鈍化層（16）的內側。
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