[實用新型]OLED基板及顯示裝置有效
| 申請號： | 201820835250.0 | 申請日： | 2018-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN208157413U | 公開（公告）日： | 2018-11-27 |
| 發明（設計）人： | 賈聰聰;張子予 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 汪源;陳源 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 有機發光層 顯示裝置 界定 像素 本實用新型 像素界定層 子像素單元 襯底基板 第二電極 第一電極 圖案 相鄰子像素 凹槽結構 色偏現象 低灰階 串擾 | ||
1.一種OLED基板，其特征在于，包括襯底基板和位于所述襯底基板上的像素界定層、第一電極、第二電極和有機發光層，所述有機發光層位于所述第一電極和所述第二電極之間，所述像素界定層包括多個像素界定圖案，每個所述像素界定圖案上設置有凹槽結構，所述像素界定圖案之間限定出子像素單元，所述有機發光層位于所述子像素單元中。
2.根據權利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述凹槽結構的深度范圍為1.0微米至1.5微米。
3.根據權利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述凹槽結構的寬度范圍為4.0微米至6.0微米。
4.根據權利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述凹槽結構的底壁和側壁之間的夾角小于或等于90度。
5.根據權利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述凹槽結構的縱截面的形狀為矩形或者弧形。
6.根據權利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述有機發光層還從所述子像素單元中延伸至靠近所述子像素單元的像素界定圖案的邊緣區域，所述邊緣區域為所述像素界定圖案的除所述凹槽結構所在的區域以外的區域。
7.根據權利要求6所述的OLED基板，其特征在于，所述凹槽結構中設置有填充層，所述填充層上表面相對于襯底基板上表面的高度與邊緣區域中有機發光層上表面相對于襯底基板上表面的高度相同。
8.根據權利要求1所述的OLED基板，其特征在于，還包括：薄膜圖案，所述薄膜圖案位于所述像素界定圖案的邊緣區域且從所述邊緣區域延伸至像素界定圖案的凹槽結構所在的區域，所述邊緣區域為像素界定圖案的除凹槽結構所在的區域以外的區域。
9.根據權利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述第一電極位于所述子像素單元中，所述有機發光層位于所述第一電極上，所述第二電極位于所述像素界定圖案和所述有機發光層上且覆蓋所述像素界定圖案和所述有機發光層。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括相對設置的封裝結構和權利要求1至9任一所述的OLED基板。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
