[實用新型]OLED基板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201820835250.0 | 申請日: | 2018-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN208157413U | 公開(公告)日: | 2018-11-27 |
| 發明(設計)人: | 賈聰聰;張子予 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 汪源;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機發光層 顯示裝置 界定 像素 本實用新型 像素界定層 子像素單元 襯底基板 第二電極 第一電極 圖案 相鄰子像素 凹槽結構 色偏現象 低灰階 串擾 | ||
本實用新型公開了一種OLED基板及顯示裝置。該OLED基板包括襯底基板和位于所述襯底基板上的像素界定層、第一電極、第二電極和有機發光層,所述有機發光層位于所述第一電極和所述第二電極之間,所述像素界定層包括多個像素界定圖案,每個所述像素界定圖案上設置有凹槽結構,所述像素界定圖案之間限定出子像素單元,所述有機發光層位于所述子像素單元中。本實用新型所提供的OLED基板及顯示裝置的技術方案,減少了相鄰子像素間的顯示串擾現象,改善了OLED器件在低灰階下的色偏現象。
技術領域
本實用新型涉及顯示技術領域,特別涉及一種OLED基板及顯示裝置。
背景技術
目前,在OLED器件的制作過程中,在蒸鍍過程中,由于掩膜板與上方的OLED基板沒有直接貼附接觸,兩者間有一定的間距。蒸鍍時,由于有機材料由下向上蒸鍍,則有機材料蒸鍍到OLED基板上的面積往往要大于掩膜板的開口的面積,實際蒸鍍的有機材料的多出的面積稱為shadow。
當OLED基板與掩模板的對位誤差時,容易導致蒸鍍的相鄰子像素單元中的電致發光層之間存在shadow交疊在一起的現象,甚至是導致相鄰子像素單元中的電致發光層中一電致發光層的shadow位于另一電致發光層上的現象,使得相鄰子像素間容易出現顯示串擾的現象。
同時,由于上述現象的存在,使得在低灰階下,在控制某個電致發光層發光時,空穴由陽極向陰極流動的同時容易產生橫向傳輸,該橫向傳輸的空穴經空穴傳輸層或者空穴注入層流向與該電致發光層相鄰的電致發光層,從而造成該電致發光層發光時,相鄰的電致發光層也在發光的現象,進而導致了OLED器件在低灰階下出現色偏現象。同理,在低灰階下,在控制某個電致發光層發光時,電子由陰極向陽極流動的同時容易產生橫向的漏電流,該橫向的漏電流經電子注入層或者電子傳輸層流向與該電致發光層相鄰的電致發光層,從而造成該電致發光層發光時,相鄰的電致發光層也在發光的現象,進而導致了OLED器件在低灰階下出現色偏現象。
因此,現有技術中,由于上述現象的存在,將造成相鄰子像素間容易出現顯示串擾的現象,同時,在低灰階下,OLED器件容易產生色偏現象。
實用新型內容
本實用新型提供一種OLED基板及顯示裝置,用于減少相鄰子像素間的顯示串擾現象,改善OLED器件在低灰階下的色偏現象。
為實現上述目的,本實用新型提供了一種OLED基板,該OLED基板包括襯底基板和位于所述襯底基板上的像素界定層、第一電極、第二電極和有機發光層,所述有機發光層位于所述第一電極和所述第二電極之間,所述像素界定層包括多個像素界定圖案,每個所述像素界定圖案上設置有凹槽結構,所述像素界定圖案之間限定出子像素單元,所述有機發光層位于所述子像素單元中。
可選地,所述凹槽結構的深度范圍為1.0微米至1.5微米。
可選地,所述凹槽結構的寬度范圍為4.0微米至6.0微米。
可選地,所述凹槽結構的底壁和側壁之間的夾角小于或等于90度。
可選地,所述凹槽結構的縱截面的形狀為矩形或者弧形。
可選地,所述有機發光層還從所述子像素單元中延伸至靠近所述子像素單元的像素界定圖案的邊緣區域,所述邊緣區域為所述像素界定圖案的除所述凹槽結構所在的區域以外的區域。
可選地,所述凹槽結構中設置有填充層,所述填充層上表面相對于襯底基板上表面的高度與邊緣區域中有機發光層上表面相對于襯底基板上表面的高度相同。
可選地,OLED基板還包括:薄膜圖案,所述薄膜圖案位于所述像素界定圖案的邊緣區域且從所述邊緣區域延伸至像素界定圖案的凹槽結構所在的區域,所述邊緣區域為像素界定圖案的除凹槽結構所在的區域以外的區域。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





