[實用新型]一種大功率LED器件的封裝結構

有效

• 申請號: 201820808963.8
• 申請日: 2018-05-28
• 公開（公告）號: CN208315603U
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發明（設計）人: 熊志軍;劉國旭;孫國喜
• 申請（專利權）人: 易美芯光（北京）科技有限公司
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;H01L33/60
• 代理公司: 北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙) 11390
• 代理人: 胡劍輝

本實用新型公開了一種大功率LED器件的封裝結構，包括基板，通過錫膏或者共晶焊接的方式固定在所述基板上的大功率垂直結構的LED芯片、設置在所述基板周圍的用于調節所述LED芯片出光效率的反射圍墻，以及設置在所述LED芯片上方的且用于實現所述LED器件不同色溫白光的熒光體；所述LED芯片與所述熒光體的距離大于100um。本實用新型的封裝結構不僅采用垂直結構的LED芯片進行封裝，而且采用將熒光體與LED芯片分離的方式；有效地解決了大功率高電流密度LED封裝過程中的散熱問題，極大地延長了LED器件的使用壽命。

技術領域

本實用新型屬于半導體照明技術領域。更具體地，涉及一種大功率LED器件的封裝結構。

背景技術

從LED芯片結構來劃分LED器件，有3種情況，分別為正裝結構、垂直結構以及倒裝結構。正裝結構的LED芯片p、n電極在LED同一側，容易出現電流擁擠現象，且熱阻較高。而垂直結構的LED芯片正好可以解決正裝結構LED芯片遇到的問題，且可以達到很高的電流密度和均勻度。未來燈具成本的降低除了材料成本，功率做大減少LED顆數顯得尤為重要，垂直結構的LED芯片能夠很好的滿足這樣的需求。這也導致垂直結構的LED芯片通常用于大功率LED器件應用領域，而正裝結構的LED芯片一般應用于中小功率LED器件。

另外，LED封裝中一個關鍵問題在于熒光粉需要均勻的涂敷在LED芯片表面，否則會出現中心色溫高、四周色溫低，即產生黃圈，現有管控比較難。LED封裝的另一個關鍵問題在于散熱，現有工藝一般是熒光粉和LED芯片直接接觸，溫度過高，會影響熒光粉的發光效率，長期高溫點亮工作會影響LED器件/模組的壽命；

實用新型內容

為解決上述技術問題，本實用新型的一個目的在于提供一種大功率的LED器件的封裝結構。該封裝結構通過將熒光體和LED芯片分離的方式，有效解決了LED封裝過程中散熱的問題，進而極大地延長了LED器件的使用壽命。

為達到上述目的，本實用新型采用以下技術方案：

一種大功率LED器件的封裝結構，包括基板，通過錫膏或者共晶焊接的方式固定在所述基板上的大功率垂直結構的LED芯片、設置在所述基板周圍的用于調節所述LED芯片出光效率的反射圍墻，以及設置在所述LED芯片上方的且用于實現所述LED器件不同色溫白光的熒光體；所述LED芯片與所述熒光體的距離大于100um。

優選地，所述LED器件的色溫可以通過調節所述LED芯片與所述熒光體的距離進行調整。

優選地，所述熒光體為單層或多層結構；按照熒光體的顏色劃分，所述單層熒光體或多層熒光體的每層結構可以選擇為紅色熒光體、黃色熒光體、綠色熒光體和黃綠熒光體中的一種。

優選地，按照所述熒光體的種類劃分，所述單層熒光體或多層熒光體的每層結構可以選擇為熒光陶瓷片，熒光薄膜和熒光硅膠中的一種。

優選地，所述基板上固定有多個大功率垂直結構的LED芯片；所述LED芯片之間、LED芯片與基板之間，以及反射圍墻上均噴涂有用于提高反射率的白膠。

優選地，所述LED芯片為藍光LED芯片或者波長為360～420nm的UV芯片。

優選地，所述基板為高導熱的陶瓷基板或金屬基板。

優選地，若所述熒光體為熒光體硅膠，則在所述熒光體和所述LED芯片之間需增加一層透明的硅膠作為支撐結構。

優選地，通過調節所述反射圍墻和所述基板的角度可以調節所述LED芯片的出光效率。

本實用新型的有益效果如下：

1、本實用新型的封裝結構不僅采用垂直結構的LED芯片進行封裝，而且采用將熒光體與LED芯片分離的方式；有效地解決了大功率高電流密度LED封裝過程中的散熱問題，極大地延長了LED器件的使用壽命。