[實(shí)用新型]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201820808788.2
• 申請(qǐng)日: 2018-05-28
• 公開（公告）號(hào): CN208570587U
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程景偉;翁春強(qiáng);王玉忠
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): H01L23/48
• 分類號(hào): H01L23/48;H01L29/41
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體裝置，其包括：第一表面；與第一表面相對(duì)的第二表面；及一或多個(gè)導(dǎo)電跡線，該導(dǎo)電跡線具有鄰近于第一表面的第一端口和鄰近于第二表面的第二端口，該導(dǎo)電跡線從第一端口沿平行于第一表面的方向延伸，且通過第一導(dǎo)電通孔后沿平行于第二表面的方向延伸至第二端口，該第一導(dǎo)電通孔從第一表面貫穿半導(dǎo)體裝置延伸至第二表面。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，特別是涉及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

通常，半導(dǎo)體封裝件包括位于載板上的存儲(chǔ)器裝置及其他類型的電子器件。存儲(chǔ)器裝置可以為，例如，但不限于，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)、快閃存儲(chǔ)器(flash memory)或其他類型的存儲(chǔ)器。當(dāng)存儲(chǔ)器裝置安裝或電連接至載板后，需要對(duì)存儲(chǔ)器裝置在載板上的性能(例如，信號(hào)完整性和時(shí)隙(timing))進(jìn)行調(diào)試。但由于存儲(chǔ)器裝置已經(jīng)安裝至載板，所以在性能調(diào)試上可能較為困難。

通常將插入器(interposer)設(shè)置在存儲(chǔ)器裝置與載板之間，以測(cè)試存儲(chǔ)器裝置在載板上的性能。但是，如果插入器未被精心設(shè)計(jì)，則會(huì)影響存儲(chǔ)器裝置與載板上其他電子器件之間傳輸?shù)男盘?hào)質(zhì)量，進(jìn)而對(duì)半導(dǎo)體封裝件的性能產(chǎn)生嚴(yán)重不利的影響。

因此，關(guān)于如何設(shè)計(jì)出能夠良好地測(cè)試存儲(chǔ)器裝置在載板上的性能而同時(shí)不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體封裝件造成不良影響的插入器，業(yè)內(nèi)仍存在相當(dāng)多的技術(shù)問題亟需解決。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的之一在于提供半導(dǎo)體裝置，其可以用于測(cè)試安裝在載板上的存儲(chǔ)器裝置的性能，且不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體封裝件的性能產(chǎn)生不良影響。

本實(shí)用新型的一實(shí)施例提供一半導(dǎo)體裝置，其包括：第一表面；與第一表面相對(duì)的第二表面；及一或多個(gè)導(dǎo)電跡線，該導(dǎo)電跡線具有鄰近于第一表面的第一端口和鄰近于第二表面的第二端口，該導(dǎo)電跡線從第一端口沿平行于第一表面的方向延伸，且通過第一導(dǎo)電通孔后沿平行于第二表面的方向延伸至第二端口，該第一導(dǎo)電通孔從第一表面貫穿半導(dǎo)體裝置延伸至第二表面。

在本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，該導(dǎo)電跡線進(jìn)一步包括接點(diǎn)，其中該接點(diǎn)暴露于第一表面或第二表面上。在本實(shí)用新型的又一實(shí)施例中，該半導(dǎo)體裝置進(jìn)一步包括位于半導(dǎo)體裝置內(nèi)的鄰近第一表面的第一接地面、鄰近第二表面的第二接地面和從第一接地面延伸至第二接地面的第二導(dǎo)電通孔，該第二接地面與該第一接地面相對(duì)。在本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，該第二導(dǎo)電通孔鄰近該第一導(dǎo)電通孔。在本實(shí)用新型的又一實(shí)施例中，該半導(dǎo)體裝置進(jìn)一步包括從第一接地面延伸至第二接地面的第三導(dǎo)電通孔。在本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，該第三導(dǎo)電通孔鄰近第一導(dǎo)電通孔。在本實(shí)用新型的又一實(shí)施例中，該半導(dǎo)體裝置進(jìn)一步包括從第一接地面延伸至第二接地面的導(dǎo)電環(huán)，該導(dǎo)電環(huán)包圍且鄰近第一導(dǎo)電通孔。在本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，該半導(dǎo)體裝置具有多層結(jié)構(gòu)。在本實(shí)用新型的又一實(shí)施例中，該導(dǎo)電跡線具有約50歐姆的阻抗。在本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，該半導(dǎo)體裝置的導(dǎo)電跡線通過第一表面上的第一焊墊電連接至載板，該半導(dǎo)體裝置的導(dǎo)電跡線通過第二表面上的第二焊墊電連接至第一集成電路封裝體，其中載板包括電連接至第二集成電路封裝體的導(dǎo)電跡線，且該半導(dǎo)體裝置的導(dǎo)電跡線與該載板的導(dǎo)電跡線具有大體上相同的阻抗。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的半導(dǎo)體裝置不僅能夠良好地測(cè)試存儲(chǔ)器裝置安裝在半導(dǎo)體封裝件的載板時(shí)的性能，還不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體封裝件中傳輸?shù)男盘?hào)產(chǎn)生不良影響，具有成本低、使用方便和性能良好等諸多優(yōu)點(diǎn)。

附圖說明

圖1是根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的示意圖

圖1A是圖1所示的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的沿線A-A的截面示意圖

圖1B是圖1所示的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的沿線B-B的截面示意圖

圖2是根據(jù)本實(shí)用新型另一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的示意圖