[實用新型]半導體裝置

有效

• 申請號: 201820808788.2
• 申請日: 2018-05-28
• 公開（公告）號: CN208570587U
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發明（設計）人: 程景偉;翁春強;王玉忠
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L29/41
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置包括：

第一表面；

與所述第一表面相對的第二表面；及

一或多個導電跡線，所述導電跡線具有鄰近于所述第一表面的第一端口和鄰近于所述第二表面的第二端口，所述導電跡線從所述第一端口沿平行于所述第一表面的方向延伸，且通過第一導電通孔后沿平行于所述第二表面的方向延伸至所述第二端口，所述第一導電通孔從所述第一表面貫穿所述半導體裝置延伸至所述第二表面。

2.根據權利要求1所述半導體裝置，其特征在于，所述導電跡線進一步包括接點，其中所述接點暴露于所述第一表面或所述第二表面上。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其進一步包括位于所述半導體裝置內的鄰近所述第一表面的第一接地面、鄰近所述第二表面的第二接地面和從所述第一接地面延伸至所述第二接地面的第二導電通孔，所述第二接地面與所述第一接地面相對。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二導電通孔鄰近所述第一導電通孔。

5.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，其進一步包括從所述第一接地面延伸至所述第二接地面的第三導電通孔。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，所述第三導電通孔鄰近所述第一導電通孔。

7.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，其進一步包括從所述第一接地面延伸至所述第二接地面的導電環，所述導電環包圍且鄰近所述第一導電通孔。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置具有多層結構。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述導電跡線具有約50歐姆的阻抗。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置的所述導電跡線通過所述第一表面上的第一焊墊電連接至載板，所述半導體裝置的所述導電跡線通過所述第二表面上的第二焊墊電連接至第一集成電路封裝體，其中所述載板包括電連接至第二集成電路封裝體的導電跡線，且所述半導體裝置的導電跡線與所述載板的導電跡線具有大體上相同的阻抗。