[實(shí)用新型]用于基片的濕法處理設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201820801147.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-05-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN208796961U | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-04-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | I.梅爾尼克;程強(qiáng)強(qiáng);P.費(fèi)斯;W.喬斯;J.瓊格-凱尼格 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | RCT解決方法有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 侯宇 |
| 地址: | 德國(guó)康*** | 國(guó)省代碼: | 德國(guó);DE |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理區(qū) 濕法處理設(shè)備 本實(shí)用新型 配套設(shè)施 處理槽 簡(jiǎn)化設(shè)備結(jié)構(gòu) 濕法化學(xué)處理 水平傳動(dòng)系統(tǒng) 減少設(shè)備 維護(hù)保養(yǎng) 主體外殼 對(duì)設(shè)備 下方槽 硅片 傳送 監(jiān)測(cè) 延伸 優(yōu)化 | ||
1.一種用于基片的濕法處理設(shè)備,具有主體外殼,其包括用藥液對(duì)基片進(jìn)行濕法化學(xué)處理的多個(gè)處理槽,沿處理槽延伸和傳送基片的水平傳動(dòng)系統(tǒng),其特征在于,所述設(shè)備具有兩個(gè)處理區(qū),但配套設(shè)施以及在設(shè)備上方頂部和下方槽部之間的連接位于這兩個(gè)處理區(qū)之間,由此使得可從兩側(cè)接近處理區(qū)。
2.按照權(quán)利要求1所述的濕法處理設(shè)備,其特征在于,所述兩個(gè)處理區(qū)分別具有能相互獨(dú)立運(yùn)行的水平傳動(dòng)機(jī)構(gòu)(15,16)。
3.按照權(quán)利要求2所述的濕法處理設(shè)備,其特征在于,所述兩個(gè)水平傳動(dòng)機(jī)構(gòu)(15,16)相對(duì)于設(shè)備的縱向中線呈鏡像對(duì)稱布置。
4.按照權(quán)利要求1至3之一所述的濕法處理設(shè)備,其特征在于,在所述設(shè)備的進(jìn)料端,但在設(shè)備的主體外殼之外附加設(shè)有第一輔助柜(1),在該第一輔助柜(1)中設(shè)有用于控制藥液溫度的溫控裝置。
5.按照權(quán)利要求4所述的濕法處理設(shè)備,其特征在于,所述溫控裝置是冰水機(jī),并且第一輔助柜(1)的高度低于主體外殼的一半高度。
6.按照權(quán)利要求5所述的濕法處理設(shè)備,其特征在于,所述第一輔助柜(1)的高度達(dá)到主體外殼的1/3高度。
7.按照權(quán)利要求4所述的濕法處理設(shè)備,其特征在于,在所述設(shè)備的出料端,但在所述主體外殼之外附加設(shè)有第二輔助柜(2),在第二輔助柜(2)中設(shè)有用于設(shè)備的電控柜。
8.按照權(quán)利要求7所述的濕法處理設(shè)備,其特征在于,所述第二輔助柜(2)的高度低于主體外殼的一半高度。
9.按照權(quán)利要求8所述的濕法處理設(shè)備,其特征在于,所述第二輔助柜(2)的高度達(dá)到主體外殼的1/3高度。
10.按照權(quán)利要求7所述的濕法處理設(shè)備,其特征在于,所述第一輔助柜(1)和/或第二輔助柜(2)與所述主體外殼完全集成為一體,或者,所述溫控裝置不帶第一輔助柜(1)和/或所述電控柜不帶第二輔助柜(2)地被完全集成在所述主體外殼中。
11.按照權(quán)利要求1所述的濕法處理設(shè)備,其特征在于,所述設(shè)備的主體外殼具有長(zhǎng)方六面體型的下部和斜屋頂狀的上部。
12.按照權(quán)利要求11所述的濕法處理設(shè)備,其特征在于,所述上部具有大致等邊梯形的橫斷面,所述上部在其兩個(gè)斜屋頂側(cè)或所述等邊梯形在其兩個(gè)等斜邊側(cè)開(kāi)設(shè)有多個(gè)沿設(shè)備縱向連續(xù)的、可開(kāi)啟的上視窗(5)。
13.按照權(quán)利要求12所述的濕法處理設(shè)備,其特征在于,在所述主體外殼內(nèi),大致在所述上視窗(5)下邊緣高度位置處或略低位置處設(shè)有水平放置的透明蓋板(22)。
14.按照權(quán)利要求13所述的濕法處理設(shè)備,其特征在于,在所述主體外殼內(nèi),大致在所述上視窗(5)上邊緣高度位置處或略高位置處設(shè)有水平放置的透光隔板。
15.按照權(quán)利要求14所述的濕法處理設(shè)備,其特征在于,從所述設(shè)備的主體外殼的頂部中央垂直向下延伸有一抽風(fēng)墻(20),其沿設(shè)備的縱向延伸而將設(shè)備的內(nèi)部空間分隔成相同并對(duì)稱的前側(cè)分區(qū)和后側(cè)分區(qū)。
16.按照權(quán)利要求15所述的濕法處理設(shè)備,其特征在于,所述上部具有帶有抽風(fēng)開(kāi)口的頂蓋板,在其上面設(shè)有用于連接廢氣排放管道的至少一個(gè)抽風(fēng)法蘭(4)。
17.按照權(quán)利要求16所述的濕法處理設(shè)備,其特征在于,所述頂蓋板在其前側(cè)和后側(cè)分別與可拆卸的過(guò)渡蓋板相連,所述過(guò)渡蓋板用于過(guò)渡連接水平的頂面板和在設(shè)備前面或后面傾斜設(shè)置的上視窗(5)的上邊緣。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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