[實用新型]一種應用于Aixtron Crius II機型的石墨盤

有效

• 申請號: 201820793500.9
• 申請日: 2018-05-25
• 公開（公告）號: CN208201121U
• 公開（公告）日: 2018-12-07
• 發明（設計）人: 朱耀強;周佐華;徐平
• 申請（專利權）人: 湘能華磊光電股份有限公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458
• 代理公司: 長沙七源專利代理事務所(普通合伙) 43214
• 代理人: 鄭雋;吳婷

本實用新型提供了一種應用于Aixtron Crius II機型的石墨盤，包括：盤體、放片槽、限位塊、第一臺階、溝槽、凸臺、第二臺階、第三臺階；所述放片槽通過嵌入方式設置在盤體上；所述限位塊通過嵌入方式設置在放片槽的內壁上；所述溝槽位于放片槽的底端；所述第一臺階設置在溝槽的一側；所述凸臺設置在溝槽的另一側；所述第二臺階設置在凸臺的另一側；所述第三臺階設置在第二臺階的另一側；本實用新型通過對應用于Aixtron Crius II機型的石墨盤的改進，具有結構設計合理、將放片位置根據波長分布規律進行改進，改善襯底的受熱情況，提高單片波長和電性的均勻性，提高芯片良率的優點，從而有效的解決了本實用新型在背景技術一項中提出的問題和不足。

技術領域

本實用新型涉及化學氣相沉積技術領域，更具體的說，尤其涉及一種解決生產實際中存在的波長均勻性差的問題，提高單片、單爐和不同爐次產品集中度的應用于AixtronCrius II機型的石墨盤。

背景技術

MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)是以III族、II族元素的有機化合物和V、VI族元素的氫化物等作為晶體生長的源材料，以熱分解反應方式在石墨盤上進行沉積工藝，生長各種III-V族、II-VI族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。

現有技術的化學氣相沉積工藝設備一般包括：相對設置的噴淋頭和石墨盤，所述噴淋頭用于提供反應氣體，其內可以設置多個小孔，石墨盤內具有多個凹槽，每個凹槽內對應放置一片襯底，在石墨盤的下方還有加熱裝置，以對石墨盤進行加熱，石墨盤受熱升溫，能夠以熱輻射和熱傳導方式對襯底進行加熱。在進行MOCVD工藝時，反應氣體自噴淋頭的小孔進入石墨盤上方的反應區域，襯底由于加熱裝置的熱傳導加熱而具有一定的溫度，該溫度使得反應氣體之間進行化學反應，從而在襯底表面沉積外延材料層。

外延設備較常采用的是Aixtron Crius II機型，其逐漸都從原2寸生長轉為使用直徑為4英寸的襯底生長，由于硬件的缺陷和4寸外延的特點，外延片的中心和外圍受熱不均勻，導致生長出的外延片片內均勻性變差，嚴重影響了芯片的均勻性和良率，目前各個廠家提供的石墨盤的沿用了原來2寸石墨盤，在此基礎上進行的常規調整都沒有達到很好的效果，不能從根本上解決波長均勻性的問題。

本實用新型的目的在于克服上述不足，提供一種應用于Aixtron Crius II機型的石墨盤，其能夠解決生產實際中存在的波長均勻性差的問題。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種應用于Aixtron Crius II機型的石墨盤，以解決上述背景技術中提出的外延設備較常采用的是Aixtron Crius II機型，其逐漸都從原2寸生長轉為使用直徑為4英寸的襯底生長，由于硬件的缺陷和4寸外延的特點，外延片的中心和外圍受熱不均勻，導致生長出的外延片片內均勻性變差，嚴重影響了芯片的均勻性和良率，目前各個廠家提供的石墨盤的沿用了原來2寸石墨盤，在此基礎上進行的常規調整都沒有達到很好的效果，不能從根本上解決波長均勻性的問題和不足。

為實現上述目的，本實用新型提供了一種應用于Aixtron Crius II機型的石墨盤，由以下具體技術手段所達成：

一種應用于Aixtron Crius II機型的石墨盤，包括：盤體、放片槽、限位塊、第一臺階、溝槽、凸臺、第二臺階、第三臺階；所述放片槽通過嵌入方式設置在盤體上；所述限位塊通過嵌入方式設置在放片槽的內壁上；所述溝槽位于放片槽的底端；所述第一臺階設置在溝槽的一側；所述凸臺設置在溝槽的另一側；所述第二臺階設置在凸臺的另一側；所述第三臺階設置在第二臺階的另一側。

作為本技術方案的進一步優化，本實用新型一種應用于Aixtron Crius II機型的石墨盤所述放片槽共設置有十四個，且放片槽在盤體上呈環形陣列狀分布有兩圈，放片槽在內圈設置的數目為四個，在外圈設置在數目為十個。