[實用新型]一種應用于Aixtron Crius II機型的石墨盤有效
| 申請號: | 201820793500.9 | 申請日: | 2018-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN208201121U | 公開(公告)日: | 2018-12-07 |
| 發明(設計)人: | 朱耀強;周佐華;徐平 | 申請(專利權)人: | 湘能華磊光電股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458 |
| 代理公司: | 長沙七源專利代理事務所(普通合伙) 43214 | 代理人: | 鄭雋;吳婷 |
| 地址: | 423038 湖*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 片槽 本實用新型 臺階設置 石墨盤 凸臺 機型 嵌入方式 限位塊 盤體 波長分布 受熱 均勻性 波長 襯底 單片 底端 電性 良率 內壁 應用 改進 芯片 | ||
1.一種應用于Aixtron Crius II機型的石墨盤,包括:盤體(1)、放片槽(2)、限位塊(3)、第一臺階(4)、溝槽(5)、凸臺(6)、第二臺階(7)、第三臺階(8);其特征在于:所述放片槽(2)通過嵌入方式設置在盤體(1)上;所述限位塊(3)通過嵌入方式設置在放片槽(2)的內壁上;所述溝槽(5)位于放片槽(2)的底端;所述第一臺階(4)設置在溝槽(5)的一側;所述凸臺(6)設置在溝槽(5)的另一側;所述第二臺階(7)設置在凸臺(6)的另一側;所述第三臺階(8)設置在第二臺階(7)的另一側。
2.根據權利要求1所述的一種應用于Aixtron Crius II機型的石墨盤,其特征在于:所述放片槽(2)共設置有十四個,且放片槽(2)在盤體(1)上呈環形陣列狀分布有兩圈,放片槽(2)在內圈設置的數目為四個,在外圈設置的數目為十個。
3.根據權利要求1所述的一種應用于Aixtron Crius II機型的石墨盤,其特征在于:所述放片槽(2)頂端與盤體(1)的連接處設置有圓角過渡。
4.根據權利要求1所述的一種應用于Aixtron Crius II機型的石墨盤,其特征在于:所述限位塊(3)的俯視面呈“Ω”形,且每個放片槽(2)內均設置有六個限位塊,限位塊在放片槽(2)的內壁上呈環形陣列狀分布。
5.根據權利要求1所述的一種應用于Aixtron Crius II機型的石墨盤,其特征在于:所述溝槽(5)的寬度設置為0-1毫米。
6.根據權利要求1所述的一種應用于Aixtron Crius II機型的石墨盤,其特征在于:所述第一臺階(4)頂端與溝槽(5)頂端之間的高度差設置為0-0.25毫米。
7.根據權利要求1所述的一種應用于Aixtron Crius II機型的石墨盤,其特征在于:所述凸臺(6)的剖切面呈弧形狀,且凸臺(6)最頂端與溝槽(5)頂端之間的高度差設置為0-0.02毫米。
8.根據權利要求1所述的一種應用于Aixtron Crius II機型的石墨盤,其特征在于:所述第二臺階(7)頂端與凸臺(6)最低端之間的高度差設置為0-0.03毫米。
9.根據權利要求1所述的一種應用于Aixtron Crius II機型的石墨盤,其特征在于:所述第三臺階(8)頂端與第二臺階(7)頂端之間的高度差設置為0-0.03毫米。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





