[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體儲存器結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820792400.4
• 申請日: 2018-05-25
• 公開（公告）號: CN208189570U
• 公開（公告）日: 2018-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 劉星

本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體儲存器結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體儲存器結(jié)構(gòu)具備多重式的字線凹槽，字線是基于字線凹槽形成在襯底中，由于字線凹槽由深度不同的第一字線凹槽與第二字線凹槽水平連通而成，因此字線為非對稱埋入式，利用該埋入式字線作為MOS管的柵極，可以增加MOS管源極與漏極之間的距離，從而使得MOS管具備更長的溝道，有效防止短溝道效應(yīng)。本實(shí)用新型可以在同樣的字線密度下增加字線與字線之間的有效距離，從而降低字線與字線之間的耦合。本實(shí)用新型中相鄰兩條字線的底端偏離方向相反，可以使得晶體管之間的耦合明顯降低。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于集成電路制造領(lǐng)域，涉及一種半導(dǎo)體儲存器結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體存儲器件(如動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM))變得高度集成，單位單元在半導(dǎo)體襯底上的面積會相應(yīng)地逐漸縮小，包含在金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管中的溝道長度也會逐漸減小，溝道長度的減小易造成短溝道效應(yīng)的產(chǎn)生。為了維持半導(dǎo)體存儲器件的高度集成，需要采取措施限制短溝道效應(yīng)。

埋入式字線(也可稱為埋入式柵極)為增加半導(dǎo)體器件的集成密度提供了一種新的選擇。埋入式字線是指將字線埋設(shè)在半導(dǎo)體襯底的內(nèi)部，可以顯著地減少在字線與位線之間的寄生電容，大幅地改善半導(dǎo)體器件的電壓讀出操作的可靠性。圖1顯示為一種有源區(qū)與字線陣列的平面布局圖，圖2顯示為圖1的A-A’向剖面圖，其中，隔離結(jié)構(gòu)101形成于半導(dǎo)體襯底102中，在半導(dǎo)體襯底102中界定出多個有源區(qū)103，多條字線104埋入半導(dǎo)體襯底102中，并穿過有源區(qū)103及隔離結(jié)構(gòu)101，字線104上方形成有保護(hù)層105。由圖2可見，現(xiàn)有的埋入式字線采用對稱結(jié)構(gòu)。

隨著集成度的進(jìn)一步增加，采用埋入式柵極字線的半導(dǎo)體儲存器結(jié)構(gòu)也開始面臨短溝道效應(yīng)的問題，因此，如何提供一種新的半導(dǎo)體儲存器結(jié)構(gòu)，以防止采用埋入式柵極字線的半導(dǎo)體儲存器結(jié)構(gòu)出現(xiàn)短溝道效應(yīng)，成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的一個重要技術(shù)問題。

實(shí)用新型內(nèi)容

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種半導(dǎo)體儲存器結(jié)構(gòu)，用于解決隨著器件的高度集成，現(xiàn)有采用埋入式柵極字線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體儲存器結(jié)構(gòu)無法有效防止短溝道效應(yīng)的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體儲存器結(jié)構(gòu)，包括：

襯底；

字線凹槽，形成于所述襯底中，包含具有第一深度的第一字線凹槽及具有第二深度的第二字線凹槽，所述第一字線凹槽及所述第二字線凹槽水平連通，所述第一深度大于所述第二深度；

字線，由第一字線部與第二字線部連接而成，所述第一字線部形成于所述第一字線凹槽中，所述第二字線部形成于所述第二字線凹槽中，所述字線的底端偏離所述字線的中心平面，其中，所述字線的中心平面定義為穿過所述字線長度方向的頂面中心線且垂直于所述字線頂面的平面，所述字線的底端位于所述第一字線凹槽的底端。

可選的，所述第一字線部與所述第二字線部的連接處具有一內(nèi)凹角。

可選的，相鄰兩條字線的底端偏離方向相反。

可選的，所述半導(dǎo)體儲存器更包括形成于所述襯底中的隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)在所述襯底中界定出多個有源區(qū)，所述字線穿過所述有源區(qū)及所述隔離結(jié)構(gòu)。

可選的，至少有一個所述有源區(qū)被兩條所述字線穿過。