[實用新型]一種半導體儲存器結構有效
| 申請號： | 201820792400.4 | 申請日： | 2018-05-25 |
| 公開（公告）號： | CN208189570U | 公開（公告）日： | 2018-12-04 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8242 | 分類號： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 劉星 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 字線 本實用新型 儲存器結構 半導體 耦合 短溝道效應 埋入式字線 凹槽水平 凹槽形成 方向相反 有效距離 多重式 非對稱 晶體管 埋入式 襯底 底端 溝道 漏極 源極 連通 偏離 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體儲存器結構，其特征在于，包括：
襯底；
字線凹槽，形成于所述襯底中，包含具有第一深度的第一字線凹槽及具有第二深度的第二字線凹槽，所述第一字線凹槽及所述第二字線凹槽水平連通，所述第一深度大于所述第二深度；
字線，由第一字線部與第二字線部連接而成，所述第一字線部形成于所述第一字線凹槽中，所述第二字線部形成于所述第二字線凹槽中，所述字線的底端偏離所述字線的中心平面，其中，所述字線的中心平面定義為穿過所述字線長度方向的頂面中心線且垂直于所述字線頂面的平面，所述字線的底端位于所述第一字線凹槽的底端。
2.根據權利要求1所述的半導體儲存器結構，其特征在于：所述第一字線部與所述第二字線部的連接處具有一內凹角。
3.根據權利要求1所述的半導體儲存器結構，其特征在于：相鄰兩條字線的底端偏離方向相反。
4.根據權利要求1所述的半導體儲存器結構，其特征在于：所述半導體儲存器更包括形成于所述襯底中的隔離結構，所述隔離結構在所述襯底中界定出多個有源區，所述字線穿過所述有源區及所述隔離結構。
5.根據權利要求1所述的半導體儲存器結構，其特征在于：至少有一個所述有源區被兩條所述字線穿過。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
