[實用新型]一種高壓芯片用電極

有效

• 申請號: 201820772946.3
• 申請日: 2018-05-23
• 公開（公告）號: CN208622763U
• 公開（公告）日: 2019-03-19
• 發明（設計）人: 夏健;孫恒俊;孫智江
• 申請（專利權）人: 江蘇如高第三代半導體產業研究院有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 北京一格知識產權代理事務所(普通合伙) 11316
• 代理人: 滑春生

本實用新型涉及一種高壓芯片用電極，所述高壓芯片用電極為直條型電極。本實用新型的優點在于：本實用新型高壓芯片用電極，改T字型電極為直條型電極，由于直條型電極與T字型電極相比，端部沒有向兩側延伸的凸體，減少了電極面積占芯片面積的比例，使得芯片承載電流更強，進而能夠有效提升芯片的老化性能與光電效率，且光電效率可提升1～3%。

技術領域

本實用新型屬于半導體技術領域，特別涉及一種高壓芯片用電極。

背景技術

隨著半導體集成技術的高速發展，一種稱為高壓芯片的LED 結構應運而生。目前，一般半導體高壓芯片，如圖1所示，包括襯底1、形成于所述襯底1上的發光半導體層，發光半導體層包括依次設置的N 型半導體層2、有源層3和 P型半導體層4；所述 N 型半導2體層與有源層3之間以及有源層3和 P型半導體層4之間分別通過T字型電極5和T字型電極6連接；由于T字型電極的端部向兩側伸出，因而發光半導體層上需開有的連接槽應包裹整個電極的端部，進而電極面積占芯片面積的比例相對較大，使得芯片的承載電流、老化性能及光電效率相對較弱。

因此，研發一種能夠提升芯片的承載電流、老化性能及光電效率的高壓芯片用電極是非常有必要的。

實用新型內容

本實用新型要解決的技術問題是提供一種能夠提升芯片的承載電流、老化性能及光電效率的高壓芯片用電極。

為解決上述技術問題，本實用新型的技術方案為：一種高壓芯片用電極，其創新點在于：所述高壓芯片用電極為直條型電極。

進一步地，高壓芯片包括襯底、形成于所述襯底上的發光半導體層，所述發光半導體層包括依次設置的N 型半導體層、有源層和 P型半導體層；所述直條型電極分別用于連接N 型半導體層與有源層以及有源層與 P型半導體層。

進一步地，所述用于連接N 型半導體層與有源層的直條型電極記作直條型電極A，用于連接有源層與 P型半導體層的直條型電極記作直條型電極B；

所述有源層靠近N型半導體層一側開有與直條型電極A一端部匹配的半圓槽A，所述直條型電極A另一端通過擴展引線A與N型半導體層連接固定；

所述P型半導體層靠近有源層一側開有與直條型電極B一端部匹配的半圓槽B，所述直條型電極B的另一端通過擴展引線B與有源層連接固定。

本實用新型的優點在于：本實用新型高壓芯片用電極，改T字型電極為直條型電極，由于直條型電極與T字型電極相比，端部沒有向兩側延伸的凸體，減少了電極面積占芯片面積的比例，使得芯片承載電流更強，進而能夠有效提升芯片的老化性能與光電效率，且光電效率可提升1～3%。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細的說明。

圖1為背景技術中半導體高壓芯片的結構示意圖。

圖2為實施例高壓芯片的結構示意圖。

具體實施方式

下面的實施例可以使本專業的技術人員更全面地理解本實用新型，但并不因此將本實用新型限制在所述的實施例范圍之中。

實施例

本實施例高壓芯片用電極，如圖2所示，高壓芯片用電極為直條型電極。

本實施例直條型電極高壓芯片，包括襯底7、形成于襯底7上的發光半導體層，發光半導體層包括依次設置的N 型半導體層8、有源層9和 P型半導體層10；N 型半導體層8與有源層9之間以及有源層9和 P型半導體層10之間分別通過直條型電極11和直條型電極12連接。

本實施例中，有源層9靠近N型半導體層8一側開有與直條型電極11一端部匹配的半圓槽91，直條型電極11另一端通過擴展引線13與N型半導體層8連接固定。